FF3MR12KM1HOSA1

Infineon
FF3MR12KM1 62mmC-SerienModulmitCoolSiC™TrenchMOSFET 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFET VorläufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 375A / IDRM = 750A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplicat...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Схема модуля
Максимальный рабочий ток при 100°C
Рабочий диапазон напряжений затвора
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
FF3MR12KM1 62mmC-SerienModulmitCoolSiC™TrenchMOSFET 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFET VorläufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 375A / IDRM = 750A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowswitchinglosses ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2020-04-28 PDF
Документация на FF3MR12KM1HOSA1 

Datenblatt / Datasheet FF3MR12KM1 Datenblatt / Datasheet FF3MR12KM1 Rev. 2.0 (de / en)

Дата модификации: 28.04.2020

Размер: 530.6 Кб

8 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    30 декабря
    статья

    Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя

    Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT–чипы компании Infineon и... ...читать

    04 декабря 2020
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

    Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид–кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к... ...читать

    20 октября 2020
    новость

    Модули CoolSiC MOSFET 1200 В в корпусе 62 мм

    Компания Infineon представила новые MOSFET–модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    LMG5200MOFT (TI)