FF450R12ME3BOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF450R12ME3 EconoDUAL™ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoDUAL™modulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF450R12ME3 EconoDUAL™ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoDUAL™modulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 450 600  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  900  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  2100  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 450 A, VGE = 15 V IC = 450 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 18,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 1,70 2,00 2,15 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  4,30  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  1,7  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  32,0  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  1,50  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,25 0,30  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,09 0,10  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,55 0,65  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,13 0,16  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V, di/dt = 7800 A/µs RGon = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  22,0 33,0  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs RGoff = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  43,0 65,0  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,03 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.2 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 1800  A 0,06 K/W K/W 125 °C PDF
Документация на FF450R12ME3BOSA1 

Datenblatt / Datasheet FF450R12ME3 Datenblatt / Datasheet FF450R12ME3 Rev. 2.2 (de / en)

Дата модификации: 03.10.2013

Размер: 484.1 Кб

8 стр.

Technische Information / technical information FF450R12ME3 IGBT-Module IGBT-modules EconoDUAL™ Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und High Efficiency Diode EconoDUAL™ module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Vorläufige Daten / preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values " # $ % % " 1 % 1, 9 " $ : " ? @ ? % % # $ : " &'( ) *+, -./0 &. ) 2 +,3 &'( ) !* +, &. ) *+,3 &'( ) !* +, 4. 567 4. ;)! 4.<= > &. ) *+,3 &'( ) !* +, 9A6A ! % % ! - -B/0 CD -./ GHA !3 3 Charakteristische Werte / characteristic values " # $F % % % % ? % $ @ % 4. ) !23 % ? % % % 4 ? % # % % " R "@ " " ? % : F : F # :T% % : U V U U 8 " V W :T% : U U " W W % : W U V U Q W W V W W # % 9 8 % 9 % : $, F @ b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`& 4?`& 3_ E 3!* - 4. ) * 83 -./ ) -3 V0 ) 2 O -B/ ) X!* -3 D ) 2 8DL U&'()! *+,W B65 ) !3 N % 4 JB *32 - O:3 &'( ) *+,3 -./ ) * -3 -B/ ) -./ ) " % % : U C!* - *3 8 )! -./ ) ! # 8 -B/AI &'( ) *+, % " # 83 -./ ) -B/3 &'( ) *+, -B/ ) !* @ &'( ) *+, &'( ) ! *+, 4. ) * 83 -B/ ) !* 4. ) * 83 -B/ ) !* - 8 8 * !2 AIa. 4?`& D 4?`& c;HGAP ) ! DU ^ W D cdSPHGP ) ! ! 1 DU ^ W AI.e 8 3 3 K D D PDF
Документация на FF450R12ME3BOSA1 

eupec

Дата модификации: 04.06.2007

Размер: 277 Кб

8 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    29 декабря 2018
    статья

    Определение длительности мертвого времени для инверторов на основе IGBT

    Инверторы на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) все чаще используются в современной технике. Одной из проблем, возникающей при их проектировании, является возможность возникновения сквозных токов, что приводит к... ...читать

    17 января 2018
    статья

    Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

    До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из–за чего возросли требования... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.