FF600R12ME4B11BPSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF600R12ME4_B11 EconoDUAL™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EconoDUAL™3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 600A / ICRM = 1200A TypischeAnwendungen • Hochleistungsumri...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P= FF600R12ME4_B11 (INFIN)
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на FF600R12ME4B11BPSA1 

Datenblatt / Datasheet FF600R12ME4_B11 Datenblatt / Datasheet FF600R12ME4_B11 Rev. 2.1 (de / en)

Дата модификации: 05.11.2013

Размер: 681.4 Кб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    30 декабря
    статья

    Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя

    Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT–чипы компании Infineon и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.