FF6MR12KM1BOSA1

Infineon
FF6MR12KM1 62mmC-Series模块采用CoolSiC™TrenchMOSFET 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFET 初步数据/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 250A / IDRM = 500A 潜在应用 • DC/DC变换器 • UPS系统 • 太阳能应用 • 高频开关应用 PotentialApplications • DC/DCconverter • UPSsystems • Solarapplications • HighFrequencySwitchingapplication 电气特性 • 低开关损耗 • 高电流密度 Elect...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Схема модуля
Максимальный рабочий ток при 100°C
Рабочий диапазон напряжений затвора
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
FF6MR12KM1 62mmC-Series模块采用CoolSiC™TrenchMOSFET 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFET 初步数据/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 250A / IDRM = 500A 潜在应用 • DC/DC变换器 • UPS系统 • 太阳能应用 • 高频开关应用 PotentialApplications • DC/DCconverter • UPSsystems • Solarapplications • HighFrequencySwitchingapplication 电气特性 • 低开关损耗 • 高电流密度 ElectricalFeatures • Lowswitchinglosses • Highcurrentdensity ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2020-04-29 PDF
Документация на FF6MR12KM1BOSA1 

数据表 / Datasheet FF6MR12KM1 数据表 / Datasheet FF6MR12KM1 Rev. 2.0 (zh / en)

Дата модификации: 29.04.2020

Размер: 709.7 Кб

8 стр.

FF6MR12KM1 62mmC-SerienModulmitCoolSiC™TrenchMOSFET 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFET VorläufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 250A / IDRM = 500A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowswitchinglosses ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2020-04-29 PDF
Документация на FF6MR12KM1BOSA1 

Datenblatt / Datasheet FF6MR12KM1 Datenblatt / Datasheet FF6MR12KM1 Rev. 2.0 (de / en)

Дата модификации: 29.04.2020

Размер: 539 Кб

8 стр.

    Публикации 6

    показать свернуть
    05 марта 2021
    новость

    Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC™ – шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру!

    Обобщив богатый опыт и ноу–хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе... ...читать

    30 декабря 2020
    статья

    Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя

    Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT–чипы компании Infineon и... ...читать

    20 ноября 2020
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1

    Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид–кремниевых... ...читать

    20 октября 2020
    новость

    Модули CoolSiC MOSFET 1200 В в корпусе 62 мм

    Компания Infineon представила новые MOSFET–модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая... ...читать

    29 декабря 2018
    статья

    Определение длительности мертвого времени для инверторов на основе IGBT

    Инверторы на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) все чаще используются в современной технике. Одной из проблем, возникающей при их проектировании, является возможность возникновения сквозных токов, что приводит к... ...читать

    17 января 2018
    статья

    Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

    До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из–за чего возросли требования... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    PWD13F60 (ST)