FF800R12KL4CNOSA1

技术信息/TechnicalInformation IGBT-模块 IGBT-modules FF800R12KL4C 1200VIGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 1200VIGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,逆变器/IGBT,Inverter 最大额定值/MaximumRatedValues 集电极-发射极电压 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCES  ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус:
  • Норма упаковки: 2  шт.

Файлы 1

показать свернуть
技术信息/TechnicalInformation IGBT-模块 IGBT-modules FF800R12KL4C 1200VIGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 1200VIGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,逆变器/IGBT,Inverter 最大额定值/MaximumRatedValues 集电极-发射极电压 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCES  1200 1200  V 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 800 1250  集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  1600  A 总功率损耗 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  5,00  kW 栅极-发射极峰值电压 Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V 特征值/CharacteristicValues min. 集电极-发射极饱和电压 Collector-emittersaturationvoltage IC = 800 A, VGE = 15 V IC = 800 A, VGE = 15 V 栅极阈值电压 Gatethresholdvoltage IC = 32,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C 栅极电荷 Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 2,10 2,40 2,60 2,90 V V VGEth 4,5 5,5 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  8,60  µC 内部栅极电阻 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  1,6  Ω 输入电容 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  56,0  nF 反向传输电容 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  3,60  nF 集电极-发射极截止电流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA 栅极-发射极漏电流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA 开通延迟时间(电感负载) Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,27 0,29  µs µs 上升时间(电感负载) Risetime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,16 0,17  µs µs 关断延迟时间(电感负载) Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  1,00 1,10  µs µs 下降时间(电感负载) Falltime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,10 0,11  µs µs 开通损耗能量(每脉冲) Turn-onenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  120  mJ mJ 关断损耗能量(每脉冲) Turn-offenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  130  mJ mJ 短路数据 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  结-外壳热阻 Thermalresistance,junctiontocase 每个IGBT/perIGBT RthJC   外壳-散热器热阻 Thermalresistance,casetoheatsink 每个IGBT/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  19,0 在开关状态下温度 Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:TS revision:3.1 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 5300  A 25,0 K/kW K/kW 125 °C PDF
Документация на FF800R12KL4CNOSA1 

数据表 / Datasheet FF800R12KL4C 数据表 / Datasheet FF800R12KL4C Rev. 3.1 (zh / en)

Дата модификации: 02.10.2013

Размер: 628.9 Кб

8 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    29 декабря 2018
    статья

    Определение длительности мертвого времени для инверторов на основе IGBT

    Инверторы на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) все чаще используются в современной технике. Одной из проблем, возникающей при их проектировании, является возможность возникновения сквозных токов, что приводит к... ...читать

    17 января 2018
    статья

    Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

    До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из–за чего возросли требования... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.