FF900R12IP4DVBOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF900R12IP4DV PrimePACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,größererEmitterControlled4DiodeundNTC PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4,enlargedEmitterControlled4diodeandNTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 900A / ICRM = 1800A TypischeAnwendungen • Hybrid-Nutzfahrzeuge Typ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P= FF900R12IP4DV (INFIN)
 

Файлы 1

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF900R12IP4DV PrimePACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,größererEmitterControlled4DiodeundNTC PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4,enlargedEmitterControlled4diodeandNTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 900A / ICRM = 1800A TypischeAnwendungen • Hybrid-Nutzfahrzeuge TypicalApplications • CommercialAgricultureVehicles ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • GroßeDC-Festigkeit • Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender Kurzschlussstrom • NiedrigesVCEsat • SehrgroßeRobustheit • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • VerstärkteDiodefürRückspeisebetrieb ElectricalFeatures • ExtendedOperationTemperatureTvjop • HighDCStability • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short CircuitCurrent • LowVCEsat • UnbeatableRobustness • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient • EnlargedDiodeforregenerativeoperation MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte • SubstratfürkleinenthermischenWiderstand MechanicalFeatures • 4kVAC1minInsulation • PackagewithCTI>400 • HighCreepageandClearanceDistances • HighPowerandThermalCyclingCapability • HighPowerDensity • SubstrateforLowThermalResistance ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:TA dateofpublication:2013-11-26 approvedby:DTS revision:2.0 1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PDF
Документация на FF900R12IP4DVBOSA1 

Datenblatt / Datasheet FF900R12IP4DV Datenblatt / Datasheet FF900R12IP4DV Rev. 2.0 (de / en)

Дата модификации: 26.11.2013

Размер: 1.67 Мб

9 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    28 января 2019
    статья

    Пятое поколение IGBT-модулей Infineon – новая эпоха в силовой электронике

    IGBT–модули пятого поколения производства Infineon – результат одновременно технологического прорыва и тонкого компромисса  между параметрами изделия. Значительное увеличение КПД, удельной мощности и срока службы этих транзисторных модулей... ...читать

    17 января 2018
    статья

    Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

    До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из–за чего возросли требования... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.