FF900R12ME7PB11BPSA1

Infineon
FF900R12ME7_B11 EconoDUAL™3ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundNTC EconoDUAL™3modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandNTC VCES = 1200V IC nom = 900A / ICRM = 1800A PotentielleAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Hybrid-Nutzfahrzeuge • Motorantriebe • Servoumrichter • USV-Systeme PotentialApplications • Highpowerconverters • Commercial...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Импульсный ток
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
FF900R12ME7_B11 EconoDUAL™3ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundNTC EconoDUAL™3modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandNTC VCES = 1200V IC nom = 900A / ICRM = 1800A PotentielleAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Hybrid-Nutzfahrzeuge • Motorantriebe • Servoumrichter • USV-Systeme PotentialApplications • Highpowerconverters • CommercialAgricultureVehicles • Motordrives • Servodrives • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • IntegrierterTemperatursensor • TrenchstopTMIGBT7 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures • Integratedtemperaturesensor • TrenchstopTMIGBT7 • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanischeEigenschaften • HoheLeistungsdichte • IsolierteBodenplatte • PressFITVerbindungstechnik • Standardgehäuse MechanicalFeatures • Highpowerdensity • Isolatedbaseplate • PressFITcontacttechnology • Standardhousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2019-12-20 PDF
Документация на FF900R12ME7PB11BPSA1 

Datenblatt / Datasheet FF900R12ME7_B11 Datenblatt / Datasheet FF900R12ME7_B11 Rev. 3.0 (de / en)

Дата модификации: 25.12.2020

Размер: 754.6 Кб

11 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    30 декабря
    статья

    Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя

    Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT–чипы компании Infineon и... ...читать

    05 ноября 2020
    статья

    Определение зависимости сопротивления NTC-термистора от температуры кристаллов силовых модулей

    Тепловое моделирование позволяет наиболее точно вычислить температуру кристаллов – основной параметр, определяющий срок службы устройства. Infineon Technologies предлагает простое решение, которое позволяет легко и точно оценить температуру... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    L6220 (ST)