FP40R12KT3GBOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP40R12KT3G VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC n...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP40R12KT3G VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 40 55  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  80  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  210  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues  min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C  V 1200 VCE sat A A typ. max. 1,80 2,05 2,30 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  0,33  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  6,0  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  2,50  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,09  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,09 0,09  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,03 0,05  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,42 0,52  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,07 0,09  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = ±15 V RGon = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  4,10 6,00  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = ±15 V RGoff = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  3,10 3,60  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   0,60 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  125 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.1 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 160  A °C PDF
Документация на FP40R12KT3GBOSA1 

Datenblatt / Datasheet FP40R12KT3G Datenblatt / Datasheet FP40R12KT3G Rev. 2.1 (de / en)

Дата модификации: 03.10.2013

Размер: 559.4 Кб

11 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    29 декабря 2018
    статья

    Определение длительности мертвого времени для инверторов на основе IGBT

    Инверторы на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) все чаще используются в современной технике. Одной из проблем, возникающей при их проектировании, является возможность возникновения сквозных токов, что приводит к... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.