FS25R12KT3BOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation FS25R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules EconoPACK™2ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPACK™2withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten/PreliminaryData HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Корпус AG-ECONO2-6
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation FS25R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules EconoPACK™2ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPACK™2withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten/PreliminaryData HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj = 150°C TC = 25°C, Tvj = 150°C IC nom  IC 25 40  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  50  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj = 150°C Ptot  145  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues  min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C  V 1200 VCE sat A A typ. max. 1,70 1,90 2,15 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  0,24  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  8,0  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  1,80  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,064  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 36 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,09 0,09  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 36 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,03 0,05  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 36 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,42 0,52  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 36 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,07 0,09  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH VGE = ±15 V RGon = 36 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  2,50  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH VGE = ±15 V RGoff = 36 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  2,90  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   RthCH  0,19 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) preparedby:MK dateofpublication:2013-02-27 approvedby:RS revision:2.1 1 100  A 0,86 K/W K/W PDF
Документация на FS25R12KT3BOSA1 

Datasheet / Datenblatt FS25R12KT3 Datasheet / Datenblatt FS25R12KT3 Rev. 2.1 english/deutsch

Дата модификации: 27.02.2013

Размер: 459.9 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 ноября 2018
    статья

    Параллельное включение модулей EconoPACK+

    Популярные силовые модули EconoPACK™+на базе IGBT производства Infineon при реализации различных силовых устройств часто требуется включать по сдвоенной и строенной трехфазной схеме. О правилах, которые следует при этом соблюдать,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.