FS300R17KE3BOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS300R17KE3 EconoPACK™+ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK™+modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten PreliminaryData HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collecto...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Корпус AG-ECONOPP-1
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS300R17KE3 EconoPACK™+ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK™+modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten PreliminaryData HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 300 375  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  600  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  1650  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 12,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 2,00 2,40 2,45 V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG  3,40  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  2,5  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  27,0  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,90  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   3,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,28 0,30  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,07 0,084  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,81 1,00  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,18 0,30  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 300 A, VCE = 900 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  65,5 95,0  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 300 A, VCE = 900 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  64,0 94,0  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,047 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:MW dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:2.1 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 1200  A 0,075 K/W K/W 125 °C PDF
Документация на FS300R17KE3BOSA1 

Datenblatt / Datasheet FS300R17KE3 Datenblatt / Datasheet FS300R17KE3 Rev. 2.1 (de / en)

Дата модификации: 03.10.2013

Размер: 606.3 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 ноября 2018
    статья

    Параллельное включение модулей EconoPACK+

    Популярные силовые модули EconoPACK™+на базе IGBT производства Infineon при реализации различных силовых устройств часто требуется включать по сдвоенной и строенной трехфазной схеме. О правилах, которые следует при этом соблюдать,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.