IDDD20G65C6XTMA1

Диод выпрямительный одиночный , в корпусе PGHDSOP10, производства Infineon (INFIN)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGHDSOP10
Схема включения диодов
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IDDD20G65C6 6 th Generation CoolSiC™ 650V SiC Schottky Diode The CoolSiC™ generation G is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes. The Infineon proprietary innovative G5 technology was enhanced in G6 by introducing further advancements like a novel Schottky metal system. The result is a family of products with improved efficiency over all load conditions, resulting from a lower figure of merit (Qc x VF . The CoolSiC™ Schottky diode VG has been designed to complement our V and V CoolMOS™ families, meeting the most stringent application requirements in this voltage range. Table 1 Key performance parameters PG-HDSOP-10-1 Parameter Value Unit VRRM 650 V QC (VR = 400 V) 26.8 nC EC (VR = 400 V) 5.3 µJ IF (TC ≤ 20 A 1.25 V °C, D = 1) VF (IF = 20 A, Tj = 25 °C) Table 2 Cathode Pin 6-10 Package information Pin 1-2: n.c. Pin 3-5: Anode Type / ordering Code Package Marking IDDD20G65C6 PG-HDSOP-10-1 D2065C6 Pin 3-5 Pin 6-10: Cathode Features  Best in class forward voltage (1.25 V)  Best in class figure of merit (Qc x VF)  High dv/dt ruggedness (150 V/ns) Benefits  System efficiency improvement  System cost and size savings due to the reduced cooling requirements  Enabling higher frequency and increased power density Potential Applications  Power factor correction in SMPS  Solar inverter  Uninterruptible power supply Product Validation  Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC (J-STD20 and JESD22) Final Datasheet Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document Rev. 2.0, 2018-02-06 PDF
Документация на IDDD20G65C6XTMA1 

Datasheet IDDD20G65C6 Rev. 2.0

Дата модификации: 03.04.2018

Размер: 646.7 Кб

9 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    14 сентября 2018
    статья

    Новые корпусные исполнения силовых компонентов для современных источников питания

    В статье поясняется, каким образом развитие корпусных технологий силовых полупроводниковых компонентов, в частности – производства Infineon, – применяемых в импульсных источниках питания, помогает в достижении требуемых параметров... ...читать

    01 июня 2018
    статья

    Преимущества использования новых SiC-диодов Infineon в AC/DC-преобразователях

    Шестое поколение выпускаемых компанией Infineon диодов Шоттки на основе карбида кремния – это высокий КПД во всем диапазоне нагрузок, повышение удельной мощности и лучшее в своем классе минимальное падение напряжения. Последнее обеспечивает их... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.