IDH06G65C6

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 650 В, с падением напряжения 1.35 В , производства Infineon (INFIN)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Карточка
товара
P= IDH06G65C6XKSA1 (INFIN) TO2202 в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
IDH06G65C6 6 th Generation CoolSiC™ 650V SiC Schottky Diode The CoolSiC™ generation 6 (G6) is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes. The Infineon proprietary innovative G5 technology was enhanced in G6 by introducing further advancements like a novel Schottky metal system. The result is a family of products with improved efficiency over all load conditions, resulting from a lower figure of merit (Qc x VF). The CoolSiC™ Schottky diode 650 V G6 has been designed to complement our 600 V and 650 V CoolMOS™ 7 families, meeting the most stringent application requirements in this voltage range. Table 1 PG-TO220-2 Key performance parameters Parameter Value Unit VRRM 650 V QC (VR = 400 V) 9.6 nC EC (VR = 400 V) 1.6 µJ IF (TC ≤ 145 °C, D = 1) 6 A VF (IF = 6 A, Tj = 25 °C) 1.25 V Table 2 CASE 1 2 1) Cathode 2) Anode Package information Type / ordering Code Package Marking IDH06G65C6 PG-TO220-2 D0665C6 Features Best in class forward voltage (1.25 V)  Best in class figure of merit (Qc x VF)  High dv/dt ruggedness (150 V/ns)  Benefits System efficiency improvement  System cost and size savings due to the reduced cooling requirements  Enabling higher frequency and increased power density  Potential Applications Power factor correction in SMPS  Solar inverter  Uninterruptible power supply  Product Validation  Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC (J-STD20 and JESD22) Final Datasheet Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document Rev. 2.0, 2017-05-23 PDF
Документация на IDH06G65C6XKSA1 

Дата модификации: 30.08.2017

Размер: 936.8 Кб

10 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    23 июля 2018
    статья

    Эффективная обработка бросков тока в цепях PFC с использованием карбид-кремниевых диодов Шоттки

    Диоды на основе карбида кремния широко применяются там, где требуются повышенные эффективность и удельная мощность. В процессе оптимизации семейства CoolSiC™ было создано новое шестое поколение (G6) карбид–кремниевых диодов Шоттки со... ...читать

    28 июня 2018
    новость

    CoolSiC G6 - новое поколение 650V SiC диодов от Infineon

    CoolSiC™ G6 – новое (шестое) поколение SiC диодов Шоттки от компании Infineon. Диоды рассчитаны на максимальное напряжение 650 В и доступны в корпусах TO–220 real2pin. До конца года компания планирует расширить семейство... ...читать

    01 июня 2018
    статья

    Преимущества использования новых SiC-диодов Infineon в AC/DC-преобразователях

    Шестое поколение выпускаемых компанией Infineon диодов Шоттки на основе карбида кремния – это высокий КПД во всем диапазоне нагрузок, повышение удельной мощности и лучшее в своем классе минимальное падение напряжения. Последнее обеспечивает их... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.