IDH20G65C6XKSA1

Infineon
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 650 В, ток до 41 А, с падением напряжения 1.35 В, ёмкостью перехода 970 пФ, в корпусе TO2202, производства Infineon (INFIN)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2202
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IDH20G65C6 6 th Generation CoolSiC™ 650V SiC Schottky Diode The CoolSiC™ generation 6 (G6) is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes. The Infineon proprietary innovative G5 technology was enhanced in G6 by introducing further advancements like a novel Schottky metal system. The result is a family of products with improved efficiency over all load conditions, resulting from a lower figure of merit (Qc x VF). The CoolSiC™ Schottky diode 650 V G6 has been designed to complement our 600 V and 650 V CoolMOS™ 7 families, meeting the most stringent application requirements in this voltage range. Table 1 Parameter Value Unit VRRM 650 V QC (VR = 400 V) 26.8 nC EC (VR = 400 V) 5.3 µJ IF (TC ≤ 135 °C, D = 1) 20 A VF (IF = 20 A, Tj = 25 °C) 1.25 V Table 2 PG-TO220-2 Key performance parameters CASE 1 2 1) Cathode 2) Anode Package information Type / ordering Code Package Marking IDH20G65C6 PG-TO220-2 D2065C6 Features Best in class forward voltage (1.25 V)  Best in class figure of merit (Qc x VF)  High dv/dt ruggedness (150 V/ns)  Benefits System efficiency improvement  System cost and size savings due to the reduced cooling requirements  Enabling higher frequency and increased power density  Potential Applications Power factor correction in SMPS  Solar inverter  Uninterruptible power supply  Product Validation  Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC (J-STD20 and JESD22) Final Datasheet Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document Rev. 2.0, 2017-05-23 PDF
Документация на IDH20G65C6XKSA1 

Дата модификации: 30.08.2017

Размер: 1.01 Мб

10 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    23 июля 2018
    статья

    Эффективная обработка бросков тока в цепях PFC с использованием карбид-кремниевых диодов Шоттки

    Диоды на основе карбида кремния широко применяются там, где требуются повышенные эффективность и удельная мощность. В процессе оптимизации семейства CoolSiC™ было создано новое шестое поколение (G6) карбид–кремниевых диодов Шоттки со... ...читать

    28 июня 2018
    новость

    CoolSiC G6 - новое поколение 650V SiC диодов от Infineon

    CoolSiC™ G6 – новое (шестое) поколение SiC диодов Шоттки от компании Infineon. Диоды рассчитаны на максимальное напряжение 650 В и доступны в корпусах TO–220 real2pin. До конца года компания планирует расширить семейство... ...читать

    01 июня 2018
    статья

    Преимущества использования новых SiC-диодов Infineon в AC/DC-преобразователях

    Шестое поколение выпускаемых компанией Infineon диодов Шоттки на основе карбида кремния – это высокий КПД во всем диапазоне нагрузок, повышение удельной мощности и лучшее в своем классе минимальное падение напряжения. Последнее обеспечивает их... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N5711 (ST)