IDK08G120C5XTMA1

Infineon
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1200 В, ток до 8 А, с падением напряжения 1.65 В, ёмкостью перехода 365 пФ, в корпусе PGTO2632, производства Infineon (INFIN)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGTO2632
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Карточка
товара
A- IDK16G120C5XTMA1 (INFIN)
 
PGTO2632 1000 шт —
A- IDK10G120C5XTMA1 (INFIN)
 
PGTO2632 1000 шт —

Файлы 1

показать свернуть
IDK08G120C5 IGC13R65U8W2 IGC13R65U8W2 IGC13R65U8W2 IGC13R65U8W2 5 th Generation CoolSiC TM IGC13R65U8W2 1200V Schottky Diode SiC Diode Features  Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  No reverse recovery current / no forward recovery  Temperature independent switching behaviour  Low forward voltage even at high operating temperature  Tight forward voltage distribution  Excellent thermal performance  Extended surge current capability  Specified dv/dt ruggedness  Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 2 Pin definition Pin 1 and backside: Cathode 1 Pin 2: Anode CASE 2 Potential applications  Drives  Industrial power supplies: Industrial UPS  Solar central inverters and Solar string inverter Product validation  Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC 47/20/22 Description         System efficiency improvement over Si diodes Enabling higher frequency / increased power density solutions System size/cost savings due to reduced heatsink requirements and smaller magnetics Reduced EMI Highest efficiency across the entire load range Robust diode operation during surge events High reliability Related Links: www.infineon.com/SiC Key performance parameters Type IDK08G120C5 VDC IF QC Tvj,max Marking Package 1200 V 8A 28nC 175°C D8512C5 PG-TO263-2 Datasheet www.infineon.com Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document page 1 of 12 V 2.0 2019-10-28 PDF
Документация на IDK08G120C5XTMA1 

Datasheet IDK08G120C5 Datasheet IDK08G120C5 Rev. 2.0

Дата модификации: 29.10.2019

Размер: 1.01 Мб

12 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    05 марта 2021
    новость

    Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC™ – шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру!

    Обобщив богатый опыт и ноу–хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе... ...читать

    11 декабря 2020
    новость

    Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в двухвыводном корпусе D2PAK

    Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO–263–2). Средний... ...читать

    01 июня 2018
    статья

    Преимущества использования новых SiC-диодов Infineon в AC/DC-преобразователях

    Шестое поколение выпускаемых компанией Infineon диодов Шоттки на основе карбида кремния – это высокий КПД во всем диапазоне нагрузок, повышение удельной мощности и лучшее в своем классе минимальное падение напряжения. Последнее обеспечивает их... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N5711 (ST)