IFS100B12N3E4B31BOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules IFS100B12N3E4_B31 MIPAQ™baseModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeund Strommesswiderstand MIPAQ™basemodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandcurrentsense shunt VorläufigeDaten/PreliminaryData J VCES = 1200V IC nom = 100A / ICRM = 200A TypischeAnwendungen ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Корпус AG-ECONO3-4
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на IFS100B12N3E4B31BOSA1 

Datasheet / Datenblatt IFS100B12N3E4_B31 Datasheet / Datenblatt IFS100B12N3E4_B31 Rev. 2.0 english/deutsch

Дата модификации: 06.03.2013

Размер: 696.2 Кб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 ноября 2018
    статья

    Параллельное включение модулей EconoPACK+

    Популярные силовые модули EconoPACK™+на базе IGBT производства Infineon при реализации различных силовых устройств часто требуется включать по сдвоенной и строенной трехфазной схеме. О правилах, которые следует при этом соблюдать,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.