IGLD60R070D1AUMA1

Infineon
IGLD60R070D1 IGLD60R070D1 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features • Enhancement mode transistor – Normally OFF switch • Ultra fast switching • No reverse-recovery charge G • Capable of reverse conduction SK S • Low gate charge, low output charge S D • Superior commutation ruggedness D D • Qualified for industrial applications according to JEDEC D 1 Standards (JESD47 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IGO60R070D1AUMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGLSON8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IGLD60R070D1 IGLD60R070D1 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features • Enhancement mode transistor – Normally OFF switch • Ultra fast switching • No reverse-recovery charge G • Capable of reverse conduction SK S • Low gate charge, low output charge S D • Superior commutation ruggedness D D • Qualified for industrial applications according to JEDEC D 1 Standards (JESD47 and JESD22) S S SK G Benefits 8 Gate 8 Drain 1,2,3,4 Kelvin Source 7 Source 5,6 • Improves system efficiency • Improves power density • Enables higher operating frequency • System cost reduction savings • Reduces EMI Applications Industrial, telecom, datacenter SMPS based on the half-bridge topology (half-bridge topologies for hard and soft switching such as Totem pole PFC, high frequency LLC). For other applications: review CoolGaN™ reliability white paper and contact Infineon regional support Table 1 Key Performance Parameters at Tj = 25 °C Parameter VDS,max RDS(on),max QG,typ ID,pulse Qoss @ 400 V Qrr Table 2 Value 600 70 5.8 60 41 0 Ordering Information Type / Ordering Code IGLD60R070D1 Final Data Sheet Unit V mΩ nC A nC nC www.infineon.com Package PG-LSON-8-1 Marking Related links 60R070D1 see Appendix A Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document Rev. 2.0 2018-10-12 PDF
Документация на IGLD60R070D1AUMA1 

Microsoft Word - IGLD60R070D1 final rev2.x

Дата модификации: 12.11.2019

Размер: 478.3 Кб

17 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    16 августа 2019
    статья

    Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN™

    HEMT–транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER™. Освоение технологии производства... ...читать

    24 июля 2019
    статья

    Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления

    Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники. Хотя возможности кремниевых... ...читать

    21 июня 2019
    статья

    Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN™ от Infineon

    Применение HEMT–транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC–преобразователей. Сегодня вопросы уменьшения... ...читать

    07 июня 2019
    новость

    Новые GaN 600V транзисторы CoolGaN от Infineon

    Серия CoolGaN 600 В от Infineon – это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), реализованные в соответствии со специально разработанным для GaN процессом квалификации, который кардинально отличен от квалификации других продуктов GaN.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16409Q3 (TI)