IGLD60R070D1AUMA1
IGLD60R070D1
IGLD60R070D1
600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor
Features
• Enhancement mode transistor – Normally OFF switch
• Ultra fast switching
• No reverse-recovery charge
G
• Capable of reverse conduction
SK
S
• Low gate charge, low output charge
S
D
• Superior commutation ruggedness
D
D
• Qualified for industrial applications according to JEDEC
D
1
Standards (JESD47 ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PGLSON8
- Норма упаковки: 20 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PGLSON8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на IGLD60R070D1AUMA1
Microsoft Word - IGLD60R070D1 final rev2.x
Дата модификации: 12.11.2019
Размер: 478.3 Кб
17 стр.
Публикации 5
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.