IGLD60R190D1AUMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы

показать свернуть

Публикации 4

показать свернуть
16 августа
статья

Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN™

HEMT–транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER™. Освоение технологии производства... ...читать

24 июля 2019
статья

Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления

Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники. Хотя возможности кремниевых... ...читать

21 июня 2019
статья

Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN™ от Infineon

Применение HEMT–транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC–преобразователей. Сегодня вопросы уменьшения... ...читать

07 июня 2019
новость

Новые GaN 600V транзисторы CoolGaN от Infineon

Серия CoolGaN 600 В от Infineon – это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), реализованные в соответствии со специально разработанным для GaN процессом квалификации, который кардинально отличен от квалификации других продуктов GaN.... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.