IGO60R070D1AUMA1

IGO60R070D1 IGO60R070D1 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features • Enhancement mode transistor – Normally OFF switch • Ultra fast switching 1 • No reverse-recovery charge 20 • Capable of reverse conduction • Low gate charge, low output charge 11 1 • Superior commutation ruggedness 10 20 • Qualified for industrial applications according to JEDEC 11 10 Standards (JES...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-20 PG-DSO-20
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на IGO60R070D1AUMA1 

Microsoft Word - IGO60R070D1 final rev2.xx

Дата модификации: 12.11.2019

Размер: 498.3 Кб

17 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    21 июня
    статья

    Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN™ от Infineon

    Применение HEMT–транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC–преобразователей. Сегодня вопросы уменьшения... ...читать

    07 июня 2019
    новость

    Новые GaN 600V транзисторы CoolGaN от Infineon

    Серия CoolGaN 600 В от Infineon – это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), реализованные в соответствии со специально разработанным для GaN процессом квалификации, который кардинально отличен от квалификации других продуктов GaN.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.