IGO60R070D1AUMA1

Infineon
IGO60R070D1 IGO60R070D1 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features • Enhancement mode transistor – Normally OFF switch • Ultra fast switching 1 • No reverse-recovery charge 20 • Capable of reverse conduction • Low gate charge, low output charge 11 1 • Superior commutation ruggedness 10 20 • Qualified for industrial applications according to JEDEC 11 10 Standards (JES...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IGO60R070D1AUMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGDSO20
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IGO60R070D1 IGO60R070D1 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features • Enhancement mode transistor – Normally OFF switch • Ultra fast switching 1 • No reverse-recovery charge 20 • Capable of reverse conduction • Low gate charge, low output charge 11 1 • Superior commutation ruggedness 10 20 • Qualified for industrial applications according to JEDEC 11 10 Standards (JESD47 and JESD22) Benefits • Improves system efficiency • Improves power density Gate 9, 10 Drain 13,14,15,16,17,18 Kelvin Source 8 Source 1,2,3,4,5,6,7, heatslug not connected 11,12,19,20 • Enables higher operating frequency • System cost reduction savings • Reduces EMI Applications Industrial, telecom, datacenter SMPS based on the half-bridge topology (half-bridge topologies for hard and soft switching such as Totem pole PFC, high frequency LLC). For other applications: review CoolGaN™ reliability white paper and contact Infineon regional support Table 1 Key Performance Parameters at Tj = 25 °C Parameter VDS,max RDS(on),max QG,typ ID,pulse Qoss @ 400 V Qrr Table 2 Value 600 70 5.8 60 41 0 Ordering Information Type / Ordering Code IGO60R070D1 Final Data Sheet Unit V mΩ nC A nC nC www.infineon.com Package PG-DSO-20-85 Marking Related links 60R070D1 see Appendix A Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document Rev. 2.1 2018-10-12 PDF
Документация на IGO60R070D1AUMA1 

Microsoft Word - IGO60R070D1 final rev2.xx

Дата модификации: 12.11.2019

Размер: 498.3 Кб

17 стр.

    Публикации 6

    показать свернуть
    10 сентября 2020
    новость

    Драйверы MOSFET/IGBT Infineon – силой нужно управлять!

    Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов –... ...читать

    08 сентября 2020
    новость

    IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon

    Компания Infineon представила новые 400 В галлий–нитридные HEMT–транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e–mode). Новые... ...читать

    27 сентября 2019
    статья

    Применение нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов в выпрямительных устройствах

    Александр Русу (г. Одесса) Использование HEMT–транзисторов производства Infineon позволит значительно улучшить технические характеристики выпрямительных устройств стандарта USB–PD, поддерживающего оборудование мощностью до 100 Вт.... ...читать

    16 августа 2019
    статья

    Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN™

    HEMT–транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER™. Освоение технологии производства... ...читать

    24 июля 2019
    статья

    Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления

    Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники. Хотя возможности кремниевых... ...читать

    21 июня 2019
    статья

    Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN™ от Infineon

    Применение HEMT–транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC–преобразователей. Сегодня вопросы уменьшения... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16409Q3 (TI)