IGT40R070D1E8220ATMA1

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGHSOF8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы

показать свернуть

Публикации 3

показать свернуть
08 сентября
новость

IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon

Компания Infineon представила новые 400 В галлий–нитридные HEMT–транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e–mode). Новые... ...читать

27 сентября 2019
статья

Применение нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов в выпрямительных устройствах

Александр Русу (г. Одесса) Использование HEMT–транзисторов производства Infineon позволит значительно улучшить технические характеристики выпрямительных устройств стандарта USB–PD, поддерживающего оборудование мощностью до 100 Вт.... ...читать

16 августа 2019
статья

Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN™

HEMT–транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER™. Освоение технологии производства... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.