IGT60R190D1SATMA1

IGT60R190D1S IGT60R190D1S 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features • Enhancement mode transistor – Normally OFF switch • Ultra fast switching • No reverse-recovery charge G • Capable of reverse conduction G SK • Low gate charge, low output charge • Superior commutation ruggedness • Qualified for standard grade applications according to JEDEC 1 1 1 1 SK SK G Standards...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PG-HSOF-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на IGT60R190D1SATMA1 

Microsoft Word - IGT60R190D1S Final DS - rev3.xx

Дата модификации: 12.11.2019

Размер: 513 Кб

17 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    21 июня
    статья

    Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN™ от Infineon

    Применение HEMT–транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC–преобразователей. Сегодня вопросы уменьшения... ...читать

    07 июня 2019
    новость

    Новые GaN 600V транзисторы CoolGaN от Infineon

    Серия CoolGaN 600 В от Infineon – это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), реализованные в соответствии со специально разработанным для GaN процессом квалификации, который кардинально отличен от квалификации других продуктов GaN.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.