IKW50N60TFKSA1

TRENCHSTOP™ Series IKW50N60T q Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode Features:  Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)  Maximum Junction Temperature 175°C  Short circuit withstand time 5s  Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply  TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Время восстановления диода
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Тип
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- IKW75N60TFKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 428W TO247-3
A- STGW30NC60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 200W TO247
A- STGW60V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 375W TO247
A- STGD3NB60SDT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт IGBT 600V 6A 48W DPAK
A- IKW50N60H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 100A 333W TO247-3
A- IRG4BC20UDPBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 13A 60W TO220AB IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IKZA75N65SS5XKSA1 (INFIN) TO2474 10 шт
 
650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKZA50N65SS5XKSA1 (INFIN) TO2474 10 шт
 
650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKZA50N65RH5XKSA1 (INFIN) TO2474 10 шт 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW75N65SS5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт
 
650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW75N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт
 
650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- STGP7NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- IKW50N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт
 
650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW50N65SS5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW50N65F5FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
A- IKW40N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт 650 V, 40 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW30N60H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 187W TO247-3
A- IKP08N65F5XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
A- IKA15N65ET6XKSA2 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A- IKA10N65ET6XKSA2 (INFIN) TO220FULLPAK3 в линейках 50 шт
A- IKA08N65ET6XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IGW50N60H3 (INFIN) TO-247-3 1 шт
A- AUIRGP50B60PD1 (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT 600V 75A 390W TO247AC IGBT Automotive, Hard switching, WARP 30-150 kHz

Файлы 1

показать свернуть
TRENCHSTOP™ Series IKW50N60T q Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode Features:  Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)  Maximum Junction Temperature 175°C  Short circuit withstand time 5s  Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply  TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - very high switching speed  Positive temperature coefficient in VCE(sat)  Low EMI  Low Gate Charge  Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode  Qualified according to JEDEC1 for target applications  Pb-free lead plating; RoHS compliant  Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ Type IKW50N60T C G E PG-TO247-3 VCE IC VCE(sat),Tj=25°C Tj,max Marking Package 600V 50A 1.5V 175C K50T60 PG-TO247-3 Maximum Ratings Parameter Symbol Value Collector-emitter voltage, Tj ≥ 25C VCE 600 IC 80 Unit V DC collector current, limited by Tjmax TC = 25C 2) 50 TC = 100C Pulsed collector current, tp limited by Tjmax ICpuls 150 Turn off safe operating area, VCE = 600V, Tj = 175C, tp = 1µs - 150 IF 100 A Diode forward current, limited by Tjmax TC = 25C 50 TC = 100C Diode pulsed current, tp limited by Tjmax IFpuls 150 Gate-emitter voltage VGE 20 V tSC 5 s Power dissipation TC = 25C Ptot 333 W Operating junction temperature Tj -40...+175 Storage temperature Tstg -55...+150 Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s - 3) Short circuit withstand time VGE = 15V, VCC  400V, Tj  150C C 260 1 J-STD-020 and JESD-022 Value limited by bond wire 3) Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s. 2) IFAG IPC TD VLS 1 Rev. 2.6 20.09.2013 PDF
Документация на IKW50N60TFKSA1 

Microsoft Word - IKW50N60T_Rev2_6G.doc

Дата модификации: 19.03.2014

Размер: 593.1 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.