IKW50N65RH5XKSA1

IKW50N65RH5 HybridCoolSiCTMIGBT TRENCHSTOPTM5H5IGBTco-packedwithhalf-rated6thgeneration CoolSiCTMSchottkybarrierdiode  FeaturesandBenefits: C •Ultra-lowswitchinglossesduetothecombinationof TRENCHSTOPTM5andCoolSiCTMtechnology •Benchmarkefficiencyinhardswitchingtopologies •Plug-and-playreplacementofpuresilicondevices •Maximumjunctiontemperature175°C ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGTO2473
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип
Примечание 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- STGP7NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGW30NC120HD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 60A 220W TO247 IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes
A- STGW30NC60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 200W TO247
A- STGW40V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 283W TO247
A- STGW60V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 375W TO247
A- STGD3NB60SDT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт IGBT 600V 6A 48W DPAK
A- IKQ40N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IKW75N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт
 
650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW75N60TFKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 428W TO247-3
A- IKW50N65SS5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW50N65F5FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
A- IKW50N60TFKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW50N60H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 100A 333W TO247-3
A- IKW40N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт 650 V, 40 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW40N120T2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW30N60H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 187W TO247-3
A- IKW25T120FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
A- IKP08N65F5XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
A- IKA15N65ET6XKSA2 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A- IKA10N65ET6XKSA2 (INFIN) TO220FULLPAK3 в линейках 50 шт
A- IKA08N65ET6XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IGW50N60H3 (INFIN) TO-247-3 1 шт
A- AUIRGP50B60PD1 (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT 600V 75A 390W TO247AC IGBT Automotive, Hard switching, WARP 30-150 kHz

Файлы 1

показать свернуть

    Публикации 5

    показать свернуть
    07 октября
    новость

    650-вольтовые гибридные IGBT с диодами CoolSiC для преобразователей с высоким КПД

    Компания Infineon решила объединить несколько передовых технологий производства силовых полупроводниковых приборов и разработала новое семейство 650–вольтовых гибридных IGBT Hybrid CoolSiC, содержащих в одном корпусе кремниевые IGBT,... ...читать

    06 октября
    новость

    650-вольтовые IGBT TRENCHSTOP теперь доступны в корпусе TO-247

    Компания Infineon расширила линейку 650–вольтовых IGBT седьмого поколения, изготавливаемых по технологии TRENCHSTOP, дополнив ее приборами с максимально допустимым током коллектора от 20 до 75 А, выпускаемых в корпусах ТО–247. Ключевой... ...читать

    05 марта 2021
    новость

    Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC™ – шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру!

    Обобщив богатый опыт и ноу–хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе... ...читать

    10 февраля 2021
    статья

    Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

    Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку... ...читать

    04 февраля 2021
    новость

    Новые силовые модули EasyPACK на основе TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

    Новинка от компании Infineon – гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.