IKW75N65SS5XKSA1

IKW75N65SS5 HybridCoolSiCTMIGBT TRENCHSTOPTM5S5IGBTco-packedwithfull-rated6thgeneration CoolSiCTMSchottkybarrierdiode  FeaturesandBenefits: C •Ultra-lowswitchinglossesduetothecombinationof TRENCHSTOPTM5andCoolSiCTMtechnology •Verylowon-statelosses •Benchmarkefficiencyinhardswitchingtopologies •Plug-and-playreplacementofpuresilicondevices •Maximum...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGTO2473
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип
Примечание 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- STGP7NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGW60V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 375W TO247
A- STGD3NB60SDT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт IGBT 600V 6A 48W DPAK
A- IKW40N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт 650 V, 40 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKZA75N65SS5XKSA1 (INFIN) TO2474 10 шт
 
650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKZA50N65SS5XKSA1 (INFIN) TO2474 10 шт
 
650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKZA50N65RH5XKSA1 (INFIN) TO2474 10 шт 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW75N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт
 
650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW75N60TFKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 428W TO247-3
A- IKW50N65SS5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW50N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт
 
650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW50N65F5FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
A- IKW50N60TFKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW50N60H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 100A 333W TO247-3
A- IKW40N120T2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW30N60H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 187W TO247-3
A- IKW25T120FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
A- IKQ40N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IKP08N65F5XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
A- IKA15N65ET6XKSA2 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A- IKA10N65ET6XKSA2 (INFIN) TO220FULLPAK3 в линейках 50 шт
A- IKA08N65ET6XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IGW50N60H3 (INFIN) TO-247-3 1 шт

Файлы 1

показать свернуть
Документация на IKW75N65SS5XKSA1 

Datasheet IKW75N65SS5 Datasheet IKW75N65SS5 Rev. 2.1

Дата модификации: 27.07.2020

Размер: 1.53 Мб

15 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    05 марта 2021
    новость

    Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC™ – шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру!

    Обобщив богатый опыт и ноу–хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе... ...читать

    10 февраля 2021
    статья

    Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

    Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку... ...читать

    04 февраля 2021
    новость

    Новые силовые модули EasyPACK на основе TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

    Новинка от компании Infineon – гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на... ...читать

    15 января 2021
    новость

    Новые гибридные 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

    Компания Infineon представила новые гибридные IGBT–транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC–диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.