IMBG120R090M1HXTMA1

IMBG120R090M1H IMBG120R090M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology Features  Very low switching losses  Short circuit withstand time 3 µs  Fully controllable dV/dt  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied  Robust body diode for hard commutation  .XT interconne...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGTO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IMBG120R090M1H IMBG120R090M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology Features  Very low switching losses  Short circuit withstand time 3 µs  Fully controllable dV/dt  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied  Robust body diode for hard commutation  .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance  Package creepage and clearance distance > 6.1mm  Sense pin for optimized switching performance Drain TAB Gate pin 1 Sense pin 2 Source pin 3...7 Benefits  Efficiency improvement  Enabling higher frequency  Increased power density  Cooling effort reduction  Reduction of system complexity and cost Potential applications  Drives  Infrastructure – Charger  Energy generation - Solar string inverter and solar optimizer  Industrial power supplies - Industrial UPS Product validation Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC 47/20/22 Note: the source and sense pins are not exchangeable, their exchange might lead to malfunction Table 1 Key Performance and Package Parameters Type IMBG120R090M1H VDS 1200V Final Datasheet www.infineon.com ID RDS(on TC = 25°C, Rth(j-c,max) Tvj = 25°C, ID = 8.5A, VGS = 18V 26A 90mΩ Tvj,max Marking Package 175°C 12M1H090 PG-TO263-7 Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document page 1 of 17 2.1 2020-09-01 PDF
Документация на IMBG120R090M1HXTMA1 

Datasheet IMBG120R090M1H Datasheet IMBG120R090M1H Rev.2.1

Дата модификации: 23.09.2021

Размер: 1.23 Мб

17 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    05 марта 2021
    новость

    Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC™ – шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру!

    Обобщив богатый опыт и ноу–хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе... ...читать

    18 февраля 2021
    статья

    CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

    Петер Фридрихс (Infineon) Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет... ...читать

    04 февраля 2021
    новость

    Новые силовые модули EasyPACK на основе TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

    Новинка от компании Infineon – гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на... ...читать

    27 января 2021
    новость

    Новые MOSFET CoolSiC 1200 В в корпусе D2PAK-7L

    Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK–7L (TO263–7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм). В новых MOSFET используется... ...читать

    15 января 2021
    новость

    Новые гибридные 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

    Компания Infineon представила новые гибридные IGBT–транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC–диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.