IMW120R045M1XKSA1

Infineon
IMW120R045M1 IMW120R045M1 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 2  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Wide gate-source voltage range  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage  Fully controllable dv/dt  Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IMW120R045M1 (INFIN)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IMW120R045M1 IMW120R045M1 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 2  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Wide gate-source voltage range  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage  Fully controllable dv/dt  Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification  Temperature independent turn-off switching losses Gate pin 1 Source pin 3 Benefits  Efficiency improvement  Enabling higher frequency  Increased power density  Cooling effort reduction  Reduction of system complexity and cost Potential applications  Energy generation o   Solar string inverter and solar optimizer Industrial power supplies o Industrial UPS o Industrial SMPS Infrastructure – Charge o Charger Product validation Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC 47/20/22 Table 1 Key Performance and Package Parameters Type IMW120R045M1 VDS 1200V Datasheet www.infineon.com ID RDS(on) (TC = 25°C, Rth(j-c,max)) (Tvj = 25°C, ID = 20A, VGS = 15V) 52A 45mΩ Tj,max Marking Package 175°C 120M1045 PG-TO247-3 Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document page 1 of 17 2.5 2020-06-12 PDF
Документация на IMW120R045M1XKSA1 

Datasheet IMW120R045M1 Datasheet IMW120R045M1 Rev. 2.5

Дата модификации: 12.06.2020

Размер: 1.3 Мб

17 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    18 февраля
    статья

    CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

    Петер Фридрихс (Infineon) Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет... ...читать

    10 февраля
    статья

    Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

    Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку... ...читать

    02 ноября 2020
    статья

    Как управлять SiС-транзистором

    Алексей Гребенников (г. Москва) Преимущества карбид–кремниевых транзисторов (SiC MOSFET) – высокий КПД, повышенная, по сравнению с биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), частота переключения, экономия места на печатной... ...читать

    26 октября 2020
    новость

    2EDF0275F и 2EDS9265H - двухканальные изолированные драйверы SiC MOSFET

    Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET – 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / –8 A и... ...читать

    23 января 2020
    новость

    Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4

    Новые MOSFET–транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247–3/–4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)