IMW120R045M1XKSA1
IMW120R045M1
IMW120R045M1
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET
Silicon Carbide MOSFET
Features
Drain
pin 2
Very low switching losses
Threshold-free on state characteristic
Wide gate-source voltage range
Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
0V turn-off gate voltage
Fully controllable dv/dt
Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-247-3
- Норма упаковки: 4 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-247-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | IMW120R045M1 (INFIN) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на IMW120R045M1XKSA1
Datasheet IMW120R045M1 Datasheet IMW120R045M1 Rev. 2.5
Дата модификации: 12.06.2020
Размер: 1.3 Мб
17 стр.
Публикации 5
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.