IMW120R045M1XKSA1

IMW120R045M1 IMW120R045M1 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 2  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Wide gate-source voltage range  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage  Fully controllable dv/dt  Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IMW120R045M1 (INFIN)
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 5

показать свернуть
18 февраля
статья

CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

Петер Фридрихс (Infineon) Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет... ...читать

10 февраля
статья

Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку... ...читать

02 ноября 2020
статья

Как управлять SiС-транзистором

Алексей Гребенников (г. Москва) Преимущества карбид–кремниевых транзисторов (SiC MOSFET) – высокий КПД, повышенная, по сравнению с биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), частота переключения, экономия места на печатной... ...читать

26 октября 2020
новость

2EDF0275F и 2EDS9265H - двухканальные изолированные драйверы SiC MOSFET

Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET – 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / –8 A и... ...читать

23 января 2020
новость

Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4

Новые MOSFET–транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247–3/–4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.