IMW120R045M1XKSA1

IMW120R045M1 IMW120R045M1 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 2  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Wide gate-source voltage range  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage  Fully controllable dv/dt  Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 6

показать свернуть
05 марта 2021
новость

Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC™ – шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру!

Обобщив богатый опыт и ноу–хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе... ...читать

18 февраля 2021
статья

CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

Петер Фридрихс (Infineon) Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет... ...читать

10 февраля 2021
статья

Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку... ...читать

08 декабря 2020
новость

Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания

Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20–летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния... ...читать

26 октября 2020
новость

2EDF0275F и 2EDS9265H - двухканальные изолированные драйверы SiC MOSFET

Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET – 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / –8 A и... ...читать

10 сентября 2020
новость

Драйверы MOSFET/IGBT Infineon – силой нужно управлять!

Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов –... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.