IMW120R350M1HXKSA1

Infineon
IMW120R350M1H IMW120R350M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Drain pin 2 Features Gate pin 1  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Wide gate-source voltage range  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive  Fully controllable dV/dt  Robust body diode for har...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IMW120R350M1H IMW120R350M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Drain pin 2 Features Gate pin 1  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Wide gate-source voltage range  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive  Fully controllable dV/dt  Robust body diode for hard commutation  Temperature independent turn-off switching losses Source pin 3 Benefits  Efficiency improvement  Enabling higher frequency  Increased power density  Cooling effort reduction  Reduction of system complexity and cost Potential applications  Energy generation o   Solar string inverter and solar optimizer Industrial power supplies o Industrial UPS o Industrial SMPS Infrastructure – Charge o Charger Product validation Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC 47/20/22 Table 1 Key Performance and Package Parameters Type IMW120R350M1H VDS 1200V Datasheet www.infineon.com ID RDS(on) TC = 25°C, Rth(j-c,max) Tvj = 25°C, ID = 2A, VGS = 18V 4.7A 350mΩ Tvj,max Marking Package 175°C 12M1H350 PG-TO247-3 Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document page 1 of 17 2.1 2019-12-10 PDF
Документация на IMW120R350M1HXKSA1 

Datasheet IMW120R350M1H Datasheet IMW120R350M1H Rev.2.1

Дата модификации: 10.12.2019

Размер: 1.19 Мб

17 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    10 февраля 2021
    статья

    Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

    Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку... ...читать

    08 декабря 2020
    новость

    Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания

    Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20–летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния... ...читать

    04 декабря 2020
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

    Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид–кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к... ...читать

    26 октября 2020
    новость

    2EDF0275F и 2EDS9265H - двухканальные изолированные драйверы SiC MOSFET

    Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET – 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / –8 A и... ...читать

    23 января 2020
    новость

    Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4

    Новые MOSFET–транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247–3/–4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)