IMW120R350M1HXKSA1
IMW120R350M1H
IMW120R350M1H
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET
Silicon Carbide MOSFET
Drain
pin 2
Features
Gate
pin 1
Very low switching losses
Threshold-free on state characteristic
Wide gate-source voltage range
Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive
Fully controllable dV/dt
Robust body diode for har...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-247-3
- Норма упаковки: 4 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-247-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на IMW120R350M1HXKSA1
Datasheet IMW120R350M1H Datasheet IMW120R350M1H Rev.2.1
Дата модификации: 15.12.2020
Размер: 1.19 Мб
17 стр.
Публикации 5
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.