IMW65R048M1HXKSA1

Infineon
IMW65R048M1H MOSFET 650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice PG-TO247-3 The650VCoolSiC™isbuiltoverthesolidsiliconcarbidetechnology developedinInfineoninmorethan20years.Leveragingthewidebandgap SiCmaterialcharacteristics,the650VCoolSiC™MOSFEToffersaunique combinationofperformance,reliabilityandeaseofuse.Suitableforhigh temperatureandharshoperation...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGTO2473
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IMW65R048M1H MOSFET 650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice PG-TO247-3 The650VCoolSiC™isbuiltoverthesolidsiliconcarbidetechnology developedinInfineoninmorethan20years.Leveragingthewidebandgap SiCmaterialcharacteristics,the650VCoolSiC™MOSFEToffersaunique combinationofperformance,reliabilityandeaseofuse.Suitableforhigh temperatureandharshoperations,itenablesthesimplifiedandcost effectivedeploymentofthehighestsystemefficiency. Tab 1 2 3 Features •Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQrr •Superiorgateoxidereliability •Bestthermalconductivityandbehavior •LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature •Increasedavalanchecapability •Compatiblewithstandarddrivers(recommendeddrivingvoltage:18V) Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 Benefits •Uniquecombinationofhighperformance,highreliabilityandeaseofuse •Easeofuseandintegration •Suitablefortopologieswithcontinuoushardcommutation •Higherrobustnessandsystemreliability •Efficiencyimprovement •Reducedsystemsizeleadingtohigherpowerdensity *1: Internal body diode *1 Source Pin 3 Potentialapplications •SMPS •UPS(uninterruptablepowersupplies) •SolarPVinverters •EVcharginginfrastructure •Energystorageandbatteryformation •ClassDamplifiers Productvalidation FullyqualifiedaccordingtoJEDECforIndustrialApplications Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS@TJ=25°C 650 V RDS(on),typ 48 mΩ QG,typ 33 nC ID,pulse 100 A Qoss@400V 78 nC Eoss@400V 11.7 µJ Type/OrderingCode Package IMW65R048M1H PG-TO 247-3 Final Data Sheet Marking 65R048M1 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2019-12-16 PDF
Документация на IMW65R048M1HXKSA1 

Datasheet IMW65R048M1H Datasheet IMW65R048M1H Rev. 2.0

Дата модификации: 21.12.2020

Размер: 1.43 Мб

15 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    20 ноября
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1

    Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид–кремниевых... ...читать

    26 августа 2020
    новость

    Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания

    Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20–летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16409Q3 (TI)