IMW65R048M1HXKSA1
IMW65R048M1H
MOSFET
650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice
PG-TO247-3
The650VCoolSiC™isbuiltoverthesolidsiliconcarbidetechnology
developedinInfineoninmorethan20years.Leveragingthewidebandgap
SiCmaterialcharacteristics,the650VCoolSiC™MOSFEToffersaunique
combinationofperformance,reliabilityandeaseofuse.Suitableforhigh
temperatureandharshoperation...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PGTO2473
- Норма упаковки: 30 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PGTO2473 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на IMW65R048M1HXKSA1
Datasheet IMW65R048M1H Datasheet IMW65R048M1H Rev. 2.0
Дата модификации: 16.12.2019
Размер: 1.43 Мб
15 стр.
Публикации 6
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.