IMW65R072M1HXKSA1

IMW65R072M1H MOSFET 650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice PG-TO247-3 The650VCoolSiC™isbuiltoverthesolidsiliconcarbidetechnology developedinInfineoninmorethan20years.Leveragingthewidebandgap SiCmaterialcharacteristics,the650VCoolSiC™MOSFEToffersaunique combinationofperformance,reliabilityandeaseofuse.Suitableforhigh temperatureandharshoperation...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGTO2473
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IMW65R072M1H MOSFET 650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice PG-TO247-3 The650VCoolSiC™isbuiltoverthesolidsiliconcarbidetechnology developedinInfineoninmorethan20years.Leveragingthewidebandgap SiCmaterialcharacteristics,the650VCoolSiC™MOSFEToffersaunique combinationofperformance,reliabilityandeaseofuse.Suitableforhigh temperatureandharshoperations,itenablesthesimplifiedandcost effectivedeploymentofthehighestsystemefficiency. Tab 1 2 3 Features •Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQrr •Superiorgateoxidereliability •Bestthermalconductivityandbehavior •LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature •Increasedavalanchecapability •Compatiblewithstandarddrivers(recommendeddrivingvoltage:18V) Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 Benefits •Uniquecombinationofhighperformance,highreliabilityandeaseofuse •Easeofuseandintegration •Suitablefortopologieswithcontinuoushardcommutation •Higherrobustnessandsystemreliability •Efficiencyimprovement •Reducedsystemsizeleadingtohigherpowerdensity *1: Internal body diode *1 Source Pin 3 Potentialapplications •SMPS •UPS(uninterruptablepowersupplies) •SolarPVinverters •EVcharginginfrastructure •Energystorageandbatteryformation •ClassDamplifiers Productvalidation FullyqualifiedaccordingtoJEDECforIndustrialApplications Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS@TJ=25°C 650 V RDS(on),typ 72 mΩ QG,typ 22 nC ID,pulse 69 A Qoss@400V 52 nC Eoss@400V 7.8 µJ Type/OrderingCode Package IMW65R072M1H PG-TO 247-3 Final Data Sheet Marking 65R072M1 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2019-12-16 PDF
Документация на IMW65R072M1HXKSA1 

Datasheet IMW65R072M1H Datasheet IMW65R072M1H Rev. 2.0

Дата модификации: 21.12.2020

Размер: 1.42 Мб

15 стр.

    Публикации 6

    показать свернуть
    18 февраля
    статья

    CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

    Петер Фридрихс (Infineon) Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет... ...читать

    10 февраля
    статья

    Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

    Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку... ...читать

    20 января 2021
    статья

    Когда имеет смысл менять кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые?

    Рене Менте (Infineon) К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может... ...читать

    08 декабря 2020
    новость

    Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания

    Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20–летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния... ...читать

    04 декабря 2020
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

    Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид–кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к... ...читать

    20 ноября 2020
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1

    Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид–кремниевых... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.