IMZ120R045M1XKSA1

Infineon
IMZ120R045M1 IMZ120R045M1 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 1  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Wide gate-source voltage range  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage  Fully controllable dv/dt  Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ UF3C120040K4S (USCI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IMZ120R045M1 IMZ120R045M1 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 1  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Wide gate-source voltage range  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage  Fully controllable dv/dt  Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification  Easy to use/drive due to sense (driver) source pin for better control of the gate  Temperature independent turn-off switching losses Gate pin 4 Sense pin 3 Source pin 2 Benefits  Efficiency improvement  Enabling higher frequency  Increased power density  Cooling effort reduction  Reduction of system complexity and cost Potential applications  Energy generation o   Solar string inverter and solar optimizer Industrial power supplies o Industrial UPS o Industrial SMPS Infrastructure – Charge o Charger Product validation Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC 47/20/22 Note: the source and sense pins are not exchangeable, their exchange might lead to malfunction Table 1 Key Performance and Package Parameters Type IMZ120R045M1 VDS 1200V Datasheet www.infineon.com ID RDS(on) (TC = 25°C, Rth(j-c,max)) (Tvj = 25°C, ID = 20A, VGS = 15V) 52A 45mΩ Tj,max Marking Package 175°C 120M1045 PG-TO247-4 Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document page 1 of 17 2.5 2020-06-12 PDF
Документация на IMZ120R045M1XKSA1 

Datasheet IMZ120R045M1 Datasheet IMZ120R045M1 2.5

Дата модификации: 30.06.2020

Размер: 1.36 Мб

17 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    20 ноября
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1

    Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид–кремниевых... ...читать

    23 января 2020
    новость

    Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4

    Новые MOSFET–транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247–3/–4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и... ...читать

    16 июня 2017
    статья

    CoolSiC™: новая революция в области MOSFET

    Ключи на основе карбида кремния (SiC) все чаще применяются в импульсных преобразователях и в схемах питания высокой мощности. Новейшие технологии обеспечивают повышенный КПД, более высокую частоту переключения, снижение потерь мощности и экономию... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16409Q3 (TI)