IMZ120R060M1HXKSA1

Infineon
SiC MOSFET 60 mOhm, 1200V, TO-247-4L
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IMZ120R060M1H IMZ120R060M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 1  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive  Fully controllable dV/dt  Robust body diode for hard commutation  Temperature independent turn-off switching losses  Sense pin for optimized switching performance Gate pin 4 Sense pin 3 Source pin 2 Benefits  Efficiency improvement  Enabling higher frequency  Increased power density  Cooling effort reduction  Reduction of system complexity and cost Potential applications  Energy generation o   Solar string inverter and solar optimizer Industrial power supplies o Industrial UPS o Industrial SMPS Infrastructure – Charge o Charger Product validation Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC 47/20/22 Note: the source and sense pins are not exchangeable, their exchange might lead to malfunction Table 1 Key Performance and Package Parameters Type IMZ120R060M1H VDS 1200V Datasheet www.infineon.com ID RDS(on) TC = 25°C, Rth(j-c,max) Tvj = 25°C, ID = 13A, VGS = 18V 36A 60mΩ Tvj,max Marking Package 175°C 12M1H060 PG-TO247-4 Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document page 1 of 17 2.1 2019-12-10 PDF
Документация на IMZ120R060M1HXKSA1 

Datasheet IMZ120R060M1H Datasheet IMZ120R060M1H Rev.2.1

Дата модификации: 15.12.2020

Размер: 1.2 Мб

17 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    20 ноября
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1

    Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид–кремниевых... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16409Q3 (TI)