IMZ120R060M1HXKSA1

Infineon
SiC MOSFET 60 mOhm, 1200V, TO-247-4L
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IMZ120R060M1H IMZ120R060M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 1  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive  Fully controllable dV/dt  Robust body diode for hard commutation  Temperature independent turn-off switching losses  Sense pin for optimized switching performance Gate pin 4 Sense pin 3 Source pin 2 Benefits  Efficiency improvement  Enabling higher frequency  Increased power density  Cooling effort reduction  Reduction of system complexity and cost Potential applications  Energy generation o   Solar string inverter and solar optimizer Industrial power supplies o Industrial UPS o Industrial SMPS Infrastructure – Charge o Charger Product validation Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC 47/20/22 Note: the source and sense pins are not exchangeable, their exchange might lead to malfunction Table 1 Key Performance and Package Parameters Type IMZ120R060M1H VDS 1200V Datasheet www.infineon.com ID RDS(on) TC = 25°C, Rth(j-c,max) Tvj = 25°C, ID = 13A, VGS = 18V 36A 60mΩ Tvj,max Marking Package 175°C 12M1H060 PG-TO247-4 Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document page 1 of 17 2.1 2019-12-10 PDF
Документация на IMZ120R060M1HXKSA1 

Datasheet IMZ120R060M1H Datasheet IMZ120R060M1H Rev.2.1

Дата модификации: 15.12.2020

Размер: 1.2 Мб

17 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    18 февраля
    статья

    CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

    Петер Фридрихс (Infineon) Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет... ...читать

    10 февраля
    статья

    Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

    Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку... ...читать

    20 января 2021
    статья

    Когда имеет смысл менять кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые?

    Рене Менте (Infineon) К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может... ...читать

    04 декабря 2020
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

    Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид–кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к... ...читать

    20 ноября 2020
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1

    Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид–кремниевых... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)