IMZ120R220M1HXKSA1

IMZ120R220M1H IMZ120R220M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Drain pin 1  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive  Fully controllable dV/dt  Robust body diode for hard commutation  Temperature independent turn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на IMZ120R220M1HXKSA1 

Datasheet IMZ120R220M1H Datasheet IMZ120R220M1H Rev.2.1

Дата модификации: 15.12.2020

Размер: 1.2 Мб

17 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    18 февраля
    статья

    CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

    Петер Фридрихс (Infineon) Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет... ...читать

    10 февраля
    статья

    Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

    Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку... ...читать

    20 января 2021
    статья

    Когда имеет смысл менять кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые?

    Рене Менте (Infineon) К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может... ...читать

    04 декабря 2020
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

    Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид–кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к... ...читать

    20 ноября 2020
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1

    Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид–кремниевых... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.