IMZA65R027M1HXKSA1

Infineon
IMZA65R027M1H MOSFET 650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice PG-TO247-4-3 The650VCoolSiC™isbuiltoverthesolidsiliconcarbidetechnology developedinInfineoninmorethan20years.Leveragingthewidebandgap SiCmaterialcharacteristics,the650VCoolSiC™MOSFEToffersaunique combinationofperformance,reliabilityandeaseofuse.Suitableforhigh temperatureandharshoperat...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGTO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IMZA65R027M1H MOSFET 650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice PG-TO247-4-3 The650VCoolSiC™isbuiltoverthesolidsiliconcarbidetechnology developedinInfineoninmorethan20years.Leveragingthewidebandgap SiCmaterialcharacteristics,the650VCoolSiC™MOSFEToffersaunique combinationofperformance,reliabilityandeaseofuse.Suitableforhigh temperatureandharshoperations,itenablesthesimplifiedandcost effectivedeploymentofthehighestsystemefficiency. Tab 1 23 4 Features •Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQrr •Superiorgateoxidereliability •Bestthermalconductivityandbehavior •LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature •Increasedavalanchecapability •Compatiblewithstandarddrivers(recommendeddrivingvoltage:18V) •Kelvinsourceprovidesupto4timeslowerswitchinglosses Drain Pin 1, Tab *1 Gate Pin 4 Driver Source Pin 3 Benefits *1: Internal body diode Power Source Pin 2 •Uniquecombinationofhighperformance,highreliabilityandeaseofuse •Easeofuseandintegration •Suitablefortopologieswithcontinuoushardcommutation •Higherrobustnessandsystemreliability •Efficiencyimprovement •Reducedsystemsizeleadingtohigherpowerdensity Potentialapplications •SMPS •UPS(uninterruptablepowersupplies) •SolarPVinverters •EVcharginginfrastructure •Energystorageandbatteryformation •ClassDamplifiers Productvalidation FullyqualifiedaccordingtoJEDECforIndustrialApplications Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS@TJ=25°C 650 V RDS(on),typ 27 mΩ QG,typ 63 nC ID,pulse 184 A Qoss@400V 147 nC Eoss@400V 22.2 µJ Type/OrderingCode Package IMZA65R027M1H PG-TO 247-4-3 Final Data Sheet Marking 65R027M1 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2019-12-16 PDF
Документация на IMZA65R027M1HXKSA1 

Datasheet IMZA65R027M1H Datasheet IMZA65R027M1H Rev. 2.0

Дата модификации: 16.12.2019

Размер: 1.44 Мб

15 стр.

    Публикации 6

    показать свернуть
    05 марта 2021
    новость

    Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC™ – шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру!

    Обобщив богатый опыт и ноу–хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе... ...читать

    18 февраля 2021
    статья

    CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

    Петер Фридрихс (Infineon) Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет... ...читать

    10 февраля 2021
    статья

    Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

    Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку... ...читать

    20 января 2021
    статья

    Когда имеет смысл менять кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые?

    Рене Менте (Infineon) К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может... ...читать

    08 декабря 2020
    новость

    Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания

    Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20–летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния... ...читать

    04 декабря 2020
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

    Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид–кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)