IPA80R1K2P7XKSA1

Infineon
IPA80R1K2P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220FP Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220FP
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WML08N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ STB7NK80ZT4 (ST)
 
TO263 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK —
A+ STW7N95K3 (ST)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 950V, 1.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC —
A+ STI6N80K5 (ST)
 
TO-262-3 50 шт
 
 — —
A+ STD8N80K5 (ST)
 
TO252 2500 шт MOSFET N CH 800V 6A DPAK Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ STD7NM80 (ST)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ STD7N80K5 (ST)
 
TO252 2500 шт MOSFET N-CH 800V 6A DPAK Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ STD6N80K5 (ST)
 
TO252 2500 шт MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK — —
A+ STFI8N80K5 (ST)
 
TO-262-3 50 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STFI7N80K5 (ST)
 
TO-262-3 50 шт
 
 — —
A+ STFI6N80K5 (ST)
 
TO-262-3 50 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STW10N95K5 (ST)
 
TO-247-3 30 шт
 
 — —
A+ STU7N80K5 (ST)
 
TO251 75 шт MOSFET N CH 800V 6A IPAK Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 —
A+ STU8N80K5 (ST)
 
TO251 75 шт MOSFET N CH 800V 6A IPAK Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 —
A+ STF8N80K5 (ST)
 
TO220FP 50 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STF7N80K5 (ST)
 
TO220FP 50 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STB9NK90Z (ST)
 
TO263 MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK — Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STL8N80K5 (ST)
 
POWERFLAT в ленте 3000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STP8NK80ZFP (ST)
 
TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ STL7N80K5 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STP8NK80Z (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220 — —
A+ SPP08N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB —
A+ SPD06N80C3ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 —
A+ STP9NK90Z (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 8A TO-220 — Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ STF9NK90Z (ST)
 
TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 8A TO-220FP — Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ STW8NK80Z (ST)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 —

Файлы 1

показать свернуть
IPA80R1K2P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220FP Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classDPAKRDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Fullyqualifiedacc.JEDECforIndustrialApplications •Fullyoptimizedportfolio Drain Pin 2, Tab Benefits Gate Pin 1 •Best-in-classperformance •Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower assemblycosts •Easytodriveandtoparallel •BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures •Lessproductionissuesandreducedfieldreturns •Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns Source Pin 3 Potentialapplications RecommendedforhardandsoftswitchingflybacktopologiesforLED Lighting,lowpowerChargersandAdapters,Audio,AUXpowerand Industrialpower.AlsosuitableforPFCstageinConsumerapplications andSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 800 V RDS(on),max 1.2 Ω Qg,typ 11 nC ID 4.5 A Eoss @ 500V 1.0 µJ VGS(th),typ 3 V ESD class (HBM) 2 - Type/OrderingCode Package IPA80R1K2P7 PG-TO 220 FullPAK Final Data Sheet Marking 80R1K2P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2018-02-07 PDF
Документация на IPA80R1K2P7XKSA1 

Datasheet IPA80R1K2P7 Datasheet IPA80R1K2P7 Rev. 2.1

Дата модификации: 07.02.2018

Размер: 949 Кб

13 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    17 мая 2019
    новость

    Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом... ...читать

    04 апреля 2018
    новость

    Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов

    Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO–220 FP Narrow Lead и SOT–223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)