IPA80R1K2P7XKSA1
IPA80R1K2P7
MOSFET
800VCoolMOSªP7PowerTransistor
PG-TO220FP
Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V
superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith
stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years
pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation.
Features
•Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO220FP
- Норма упаковки: 50 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO220FP | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | ||
Ёмкость затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 26
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | WML08N80M3 (WAYON) | TO220F | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | STB7NK80ZT4 (ST) | TO263 | в ленте 1000 шт |
| — | ||||||||||||
A+ | STW7N95K3 (ST) | TO-247-3 | в линейках 30 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 950V, 1.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | — | |||||||||||
A+ | STI6N80K5 (ST) | TO-262-3 | 50 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | STD8N80K5 (ST) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | STD7NM80 (ST) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | STD7N80K5 (ST) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | STD6N80K5 (ST) | TO252 | 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | STFI8N80K5 (ST) | TO-262-3 | 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STFI7N80K5 (ST) | TO-262-3 | 50 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | STFI6N80K5 (ST) | TO-262-3 | 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STW10N95K5 (ST) | TO-247-3 | 30 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | STU7N80K5 (ST) | TO251 | 75 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | — | |||||||||||
A+ | STU8N80K5 (ST) | TO251 | 75 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | — | |||||||||||
A+ | STF8N80K5 (ST) | TO220FP | 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STF7N80K5 (ST) | TO220FP | 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STB9NK90Z (ST) | TO263 |
| — | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||
A+ | STL8N80K5 (ST) | POWERFLAT | в ленте 3000 шт | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STP8NK80ZFP (ST) | TO220FP | в линейках 50 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | |||||||||||
A+ | STL7N80K5 (ST) | POWERFLAT | 3000 шт | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STP8NK80Z (ST) | TO220AB | в линейках 50 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | SPP08N80C3XKSA1 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |
| — | ||||||||||||
A+ | SPD06N80C3ATMA1 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | |||||||||||||
A+ | STP9NK90Z (ST) | TO220AB | в линейках 50 шт |
| — | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | ||||||||||
A+ | STF9NK90Z (ST) | TO220FP | в линейках 50 шт |
| — | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | ||||||||||
A+ | STW8NK80Z (ST) | TO-247-3 | в линейках 30 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на IPA80R1K2P7XKSA1
Datasheet IPA80R1K2P7 Datasheet IPA80R1K2P7 Rev. 2.1
Дата модификации: 07.02.2018
Размер: 949 Кб
13 стр.
Публикации 2
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.