IPAN60R280PFD7SXKSA1

IPAN60R280PFD7S MOSFET 600VCoolMOSªPFD7SJPowerDevice PG-TO220FP CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. ThelatestCoolMOS™PFD7isanoptimizedplatformtailoredtotarget costsensitiveapplicationsinconsumermarketssuchascharger,adapter, motordrive,l...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGTO2203
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPAN60R280PFD7S MOSFET 600VCoolMOSªPFD7SJPowerDevice PG-TO220FP CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. ThelatestCoolMOS™PFD7isanoptimizedplatformtailoredtotarget costsensitiveapplicationsinconsumermarketssuchascharger,adapter, motordrive,lighting,etc. ThenewseriesprovidesallthebenefitsofafastswitchingSuperjunction MOSFET,combinedwithanexcellentprice/performanceratioandstateof theartease-of-uselevel.Thetechnologymeetshighestefficiency standardsandsupportshighpowerdensity,enablingcustomersgoing towardsveryslimdesigns. Drain Pin 2 Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •LowswitchinglossesEoss,excellentthermalbehavior •Fastbodydiode •WiderangeportfolioofRDS(on)andpackagevariations •Integratedzenerdiode *1 Gate Pin 1 *2 *1: Internal body diode *2: Integrated ESD diode Source Pin 3 Benefits •Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors •Enablesefficiencygainsathigherswitchingfrequencies •Excellentcommutationruggedness •Easytoselectrightpartsandoptimizethedesign •HighESDruggedness Potentialapplications RecommendedforZVStopologiesusedinhighdensitychargers, adapters,lightingandmotordrivesapplications,etc. Productvalidation QualifiedaccordingtoJEDECStandard Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 280 mΩ Qg,typ 15.3 nC ID,pulse 31 A Eoss @ 400V 2.0 µJ Body diode diF/dt 1300 A/µs ESD Class (HBM) 2 - Type/OrderingCode Package IPAN60R280PFD7S PG-TO 220 FullPAK Narrow Lead Final Data Sheet Marking 60S280D7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2019-11-29 PDF
Документация на IPAN60R280PFD7SXKSA1 

Datasheet IPAN60R280PFD7S Datasheet IPAN60R280PFD7S Rev. 2.1

Дата модификации: 29.11.2019

Размер: 1.15 Мб

14 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    25 ноября 2021
    новость

    600-вольтовые CoolMOS MOSFET PFD7 – идеальное решение для устройств с высокой плотностью мощности

    Линейка высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В установила новый стандарт для технологии Super Junction, став прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотностью мощности, таких как маломощные электродвигатели... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.