IPAN60R360P7SXKSA1

IPAN60R360P7S MOSFET 600VCoolMOS™P7PowerTransistor PG-TO220FP TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwith...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPAN60R360P7S MOSFET 600VCoolMOS™P7PowerTransistor PG-TO220FP TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwithexcellentease ofuse,e.g.verylowringingtendency,outstandingrobustnessofbody diodeagainsthardcommutationandexcellentESDcapability. Furthermore,extremelylowswitchingandconductionlossesmake switchingapplicationsevenmoreefficient,morecompactandmuch cooler. Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandLLC)duetoanoutstanding  commutationruggedness •Significantreductionofswitchingandconductionlosses •ExcellentESDrobustness>2kV(HBM)forallproducts •BetterRDS(on)/packageproductscomparedtocompetitionenabledbya  lowRDS(on)*A(below1Ohm*mm²) Drain Pin 2 Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Easeofuseandfastdesign-inthroughlowringingtendencyandusage  acrossPFCandPWMstages •Simplifiedthermalmanagementduetolowswitchingandconduction  losses •Increasedpowerdensitysolutionsenabledbyusingproductswith  smallerfootprintandhighermanufacturingqualitydueto>2kVESD  protection •Suitableforawidevarietyofapplicationsandpowerranges Potentialapplications PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTV,Lighting,Server,Telecom andUPS. Productvalidation QualifiedaccordingtoJEDECStandard Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 360 mΩ Qg,typ 13 nC ID,pulse 26 A Eoss @ 400V 1.6 µJ Body diode diF/dt 900 A/µs Type/OrderingCode Package IPAN60R360P7S PG-TO 220 FullPAK Narrow Lead Final Data Sheet Marking 60S360P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2019-02-26 PDF
Документация на IPAN60R360P7SXKSA1 

Datasheet IPAN60R360P7S Datasheet IPAN60R360P7S Rev. 2.0

Дата модификации: 26.02.2019

Размер: 1.01 Мб

14 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    03 февраля 2020
    новость

    Новая линейка 600 В CoolMOS транзисторов P7 от Infineon

    600–вольтовые super–junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6. Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.