IPAN80R280P7XKSA1

IPAN80R280P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220FP Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220FP
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SPA17N80C3 (INFIN) TO220FULLPACK в линейках 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ SPP17N80C3XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB
A+ SPW17N80C3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
A+ SPW17N80C3 (INFIN) MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
A+ IPA80R280P7XKSA1 (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт
 
A+ SPP17N80C3 (INFIN) PGTO2203 в линейках 50 шт
 
A+ IPD80R280P7ATMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO252
A+ IPP80R280P7XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO220
A+ SPA17N80C3XKSA1 (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт
 
A+ STP21N90K5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STF25N80K5 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP Power Field-Effect Transistor, 19.5A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ IPW80R280P7XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO247
A+ STF21N90K5 (ST) TO220FP 50 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STF18NM80 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STB21N90K5 (ST) TO263 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STB18NM80 (ST) TO263 1000 шт MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STP25N80K5 (ST) TO220AB 50 шт MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220 Power Field-Effect Transistor, 19.5A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STW21N90K5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW18NM80 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STP18NM80 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ IXFK34N80 (IXYS) TO264 в линейках 25 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
IPAN80R280P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220FP Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classDPAKRDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Best-in-classCoolMOS™qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20andJESD22) •Fullyoptimizedportfolio Benefits Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 •Best-in-classperformance •Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower assemblycosts •Easytodriveandtoparallel •BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures •Lessproductionissuesandreducedfieldreturns •Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns Source Pin 3 Applications RecommendedforhardandsoftswitchingflybacktopologiesforLED Lighting,lowpowerChargersandAdapters,Audio,AUXpowerand Industrialpower.AlsosuitableforPFCstageinConsumerapplications andSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 800 V RDS(on),max 0.28 Ω Qg,typ 36 nC ID 17 A Eoss @ 500V 4 µJ VGS(th),typ 3 V ESD class (HBM) 2 - Type/OrderingCode Package IPAN80R280P7 PG-TO 220 FullPAK Narrow Lead Final Data Sheet Marking 80R280P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2016-12-02 PDF
Документация на IPAN80R280P7XKSA1 

Datasheet IPAN80R280P7 Datasheet IPAN80R280P7 Rev. 2.0

Дата модификации: 02.12.2016

Размер: 962.9 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.