IPAN80R360P7XKSA1

IPAN80R360P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220FP Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220FP
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPAN80R360P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220FP Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classDPAKRDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Fullyqualifiedacc.JEDECforIndustrialApplications •Fullyoptimizedportfolio Drain Pin 2, Tab Benefits Gate Pin 1 •Best-in-classperformance •Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower assemblycosts •Easytodriveandtoparallel •BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures •Lessproductionissuesandreducedfieldreturns •Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns Source Pin 3 Potentialapplications RecommendedforhardandsoftswitchingflybacktopologiesforLED Lighting,lowpowerChargersandAdapters,Audio,AUXpowerand Industrialpower.AlsosuitableforPFCstageinConsumerapplications andSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 800 V RDS(on),max 0.36 Ω Qg,typ 30 nC ID 13 A Eoss @ 500V 3.2 µJ VGS(th),typ 3 V ESD class (HBM) 2 - Type/OrderingCode Package IPAN80R360P7 PG-TO 220 FullPAK Narrow Lead Final Data Sheet Marking 80R360P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2018-02-07 PDF
Документация на IPAN80R360P7XKSA1 

Datasheet IPAN80R360P7 Datasheet IPAN80R360P7 Rev. 2.1

Дата модификации: 07.02.2018

Размер: 965.6 Кб

13 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    17 мая 2019
    новость

    Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом... ...читать

    04 апреля 2018
    новость

    Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов

    Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO–220 FP Narrow Lead и SOT–223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.