IPAW60R360P7SXKSA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220FP
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPAW60R360P7S MOSFET 600VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220FullPAKWideCreepage TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwithexcellentease ofuse,e.g.verylowringingtendency,outstandingrobustnessofbody diodeagainsthardcommutationandexcellentESDcapability. Furthermore,extremelylowswitchingandconductionlossesmake switchingapplicationsevenmoreefficient,morecompactandmuch cooler. Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandLLC)duetoanoutstanding commutationruggedness •Significantreductionofswitchingandconductionlosses •ExcellentESDrobustness>2kV(HBM)forallproducts •BetterRDS(on)/packageproductscomparedtocompetitionenabledbya lowRDS(on)*A(below1Ohm*mm²) •LargeportfoliowithgranularRDS(on)selectionqualifiedforavarietyof industrialandconsumergradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) Drain Pin 2 Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Easeofuseandfastdesign-inthroughlowringingtendencyandusage acrossPFCandPWMstages •Simplifiedthermalmanagementduetolowswitchingandconduction losses •Increasedpowerdensitysolutionsenabledbyusingproductswith smallerfootprintandhighermanufacturingqualitydueto>2kVESD protection •Suitableforawidevarietyofapplicationsandpowerranges Applications PFC,hardswitchingPWMandresonantswitchingpowerstages.e.g.PC Silverbox,Adapter,LCD&PDPTV,Lighting,Server,Telecom&UPS Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 360 mΩ Qg.typ 13 nC ID,pulse 26 A Eoss@400V 1.4 µJ Body diode di/dt 900 A/µs Type/OrderingCode Package IPAW60R360P7S PG -TO220 FullPAK WideCreepage Final Data Sheet Marking 60S360P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2017-03-02 PDF
Документация на IPAW60R360P7SXKSA1 

Datasheet IPAW60R360P7S Datasheet IPAW60R360P7S Rev. 2.1

Дата модификации: 02.03.2017

Размер: 1.15 Мб

14 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    25 декабря 2017
    статья

    CoolMOS P7: баланс эффективности и простоты использования в силовых преобразователях

    Сочетание высокой скорости коммутации и простоты использования делает серию МОП–транзисторов CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальной для применения как в маломощных (бытовые приборы, ПК), так и в мощных (телекоммуникации, центры... ...читать

    24 августа 2017
    новость

    CoolMOS™ P7 - новые 600V и 700V силовые MOSFET

    Линейка CoolMOS™ P7 Infineon является отлично сбалансированным решением, обладающим оптимальным соотношением эффективности и цены. Ключевая особенность транзисторов линейки — возможность их применения в схемах с различными топологиями. MOSFET... ...читать

    19 июля 2017
    статья

    600V CoolMOS™ P7 компании Infineon: особенности и преимущества новейших MOSFET

    МОП–транзисторы 600V CoolMOS™ P7 от Infineon – это SMD–корпус, высокий КПД, малое значение RDS(on), быстрое переключение, бюджетная цена и простота использования. Все перечисленное делает их незаменимыми на рынке потребительской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.