IPAW60R600P7SXKSA1

Infineon
IPAW60R600P7S MOSFET 600VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220FullPAKWideCreepage TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitch...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IPAW60R180P7SXKSA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220FP
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPAW60R600P7S MOSFET 600VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220FullPAKWideCreepage TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwithexcellentease ofuse,e.g.verylowringingtendency,outstandingrobustnessofbody diodeagainsthardcommutationandexcellentESDcapability. Furthermore,extremelylowswitchingandconductionlossesmake switchingapplicationsevenmoreefficient,morecompactandmuch cooler. Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandLLC)duetoanoutstanding  commutationruggedness •Significantreductionofswitchingandconductionlosses •ExcellentESDrobustness>2kV(HBM)forallproducts •BetterRDS(on)/packageproductscomparedtocompetitionenabledbya  lowRDS(on)*A(below1Ohm*mm²) •LargeportfoliowithgranularRDS(on)selectionqualifiedforavarietyof  industrialandconsumergradeapplicationsaccordingtoJEDEC  (J-STD20andJESD22) Drain Pin 2 Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Easeofuseandfastdesign-inthroughlowringingtendencyandusage  acrossPFCandPWMstages •Simplifiedthermalmanagementduetolowswitchingandconduction  losses •Increasedpowerdensitysolutionsenabledbyusingproductswith  smallerfootprintandhighermanufacturingqualitydueto>2kVESD  protection •Suitableforawidevarietyofapplicationsandpowerranges Applications PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTV,Lighting,Server,Telecom andUPS. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 600 mΩ Qg.typ 9 nC ID,pulse 16 A Eoss@400V 1.1 µJ Body diode di/dt 900 A/µs Type/OrderingCode Package IPAW60R600P7S PG -TO220 FullPAK WideCreepage Final Data Sheet Marking 60S600P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2017-06-01 PDF
Документация на IPAW60R600P7SXKSA1 

Datasheet IPAW60R600P7S Datasheet IPAW60R600P7S Rev. 2.0

Дата модификации: 01.06.2017

Размер: 949.6 Кб

14 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    17 мая 2019
    новость

    Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом... ...читать

    25 декабря 2017
    статья

    CoolMOS P7: баланс эффективности и простоты использования в силовых преобразователях

    Сочетание высокой скорости коммутации и простоты использования делает серию МОП–транзисторов CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальной для применения как в маломощных (бытовые приборы, ПК), так и в мощных (телекоммуникации, центры... ...читать

    24 августа 2017
    новость

    CoolMOS™ P7 - новые 600V и 700V силовые MOSFET

    Линейка CoolMOS™ P7 Infineon является отлично сбалансированным решением, обладающим оптимальным соотношением эффективности и цены. Ключевая особенность транзисторов линейки — возможность их применения в схемах с различными топологиями. MOSFET... ...читать

    19 июля 2017
    статья

    600V CoolMOS™ P7 компании Infineon: особенности и преимущества новейших MOSFET

    МОП–транзисторы 600V CoolMOS™ P7 от Infineon – это SMD–корпус, высокий КПД, малое значение RDS(on), быстрое переключение, бюджетная цена и простота использования. Все перечисленное делает их незаменимыми на рынке потребительской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)