IPB60R040C7

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGTO2633
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
PA IPB60R040C7ATMA1 (INFIN) TO263 в коробках 1000 шт
 
A+ IPW60R040CFD7XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ STE88N65M5 (ST) 10 шт
 
A+ IPW65R041CFD (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
A+ IPW65R037C6FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
A+ IPW65R037C6 (INFIN) PGTO2473 1 шт
 
A+ IPW65R019C7FKSA1 (INFIN)
IPW65R019C7 (INFIN)
TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
A+ IPW65R019C7 (INFIN) PGTO2473 в линейках 30 шт
 
A+ IPP60R040C7XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
A+ IPW60R041P6FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
A+ IPW60R041C6FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
A+ IPW60R040C7XKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
A+ STW70N60M2 (ST) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 600V 68A TO247 Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ IPT65R033G7XTMA1 (INFIN) PGHSOF8 2000 шт
 
A+ IPW60R031CFD7XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ IPB60R040CFD7ATMA1 (INFIN) PGTO2633 1000 шт
 
A+ IPZ60R041P6FKSA1 (INFIN) TO2474 30 шт
 
A+ IPZ60R040C7XKSA1 (INFIN) TO2474 30 шт
 
A+ SIHG73N60E-GE3 (VISHAY) TO247AC 1 шт MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 600V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
A+ STY112N65M5 (ST) TO-274-3 Max247 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 93A MAX247 Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 650V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STY100NM60N (ST) TO-274-3 MAX247 30 шт
 
A+ STW88N65M5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 84A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 650V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW78N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 650V 69A TO247 Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 650V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ IPW65R041CFDFKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

Файлы

показать свернуть

Публикации 4

показать свернуть
04 октября 2018
статья

Особенности выбора силовых МОП-транзисторов для резонансных LLC-преобразователей

В статье рассматриваются особенности работы МОП–транзисторов (MOSFET) в резонансных LLC–преобразователях. Особое внимание уделяется режиму переключений при нулевых напряжениях (Zero Voltage Switching, ZVS). В ней также приведены методы... ...читать

25 мая 2018
статья

Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

Тепловые характеристики новых 650–вольтовых МОП–транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад... ...читать

26 октября 2017
600V-CoolMOS-C7
новость

600V CoolMOS C7 от Infineon – когда эффективность на первом месте

Семейство 600V MOSFET CoolMOS™ C7 от компании Infineon адресовано для применений, где необходима высочайшая эффективность. По своим характеристикам транзисторы семейства вплотную приблизились к GaN приборам. Например, в MOSFET CoolMOS C7 на 50%... ...читать

19 сентября 2016
статья

CoolMOS™ – высоковольтные MOSFET по рецепту Infineon

Обширное семейство высоковольтных MOSFET CoolMOS™ производства компании Infineon – один из базовых стандартов отрасли, ее лидер по показателям КПД, а представитель семейства линейка CoolMOS™ C7 имеет лучший в мире в своем классе показатель... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.