IPB60R060C7ATMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STW78N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 650V 69A TO247 Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 650V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STP57N65M5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A+ IPB60R040C7ATMA1 (INFIN) TO263 в коробках 1000 шт
 
A+ IPZ65R065C7XKSA1 (INFIN) TO2474 30 шт
 
A+ IPZ65R045C7XKSA1 (INFIN) TO2474 30 шт
 
A+ IPZ60R040C7XKSA1 (INFIN) TO2474 30 шт
 
A+ IPP65R065C7XKSA1 (INFIN) TO-220-3 50 шт MOSFET N-CH 650V TO-220-3
A+ SIHW47N60E-GE3 (VISHAY) TO3PF MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
A+ SIHG47N60E-GE3 (VISHAY) TO247AC 1 шт MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
A+ SIHG47N60E-E3 (VISHAY) MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
A+ STY60NM60 (ST) TO-274-3 Max247 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 60A MAX247 Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STE70NM60 (ST) в линейках 10 шт MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 600V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STW69N65M5-4 (ST) TO2474 30 шт
 
A+ STW70N60M2 (ST) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 600V 68A TO247 Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW62NM60N (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 65A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 600V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW62N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт
 
A+ STW60N65M5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW57N65M5-4 (ST) TO2474 30 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STW57N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт
 
A+ STW55NM60ND (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
A+ STFW60N65M5 (ST) TO3PF 1 шт MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STF57N65M5 (ST) TO220FP 50 шт
 
A+ STB57N65M5 (ST) TO263 1000 шт
 
A+ IPW60R060C7XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 35A TO247
A+ IPB60R040CFD7ATMA1 (INFIN) PGTO2633 1000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 3

показать свернуть
25 мая 2018
статья

Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

Тепловые характеристики новых 650–вольтовых МОП–транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад... ...читать

26 октября 2017
600V-CoolMOS-C7
новость

600V CoolMOS C7 от Infineon – когда эффективность на первом месте

Семейство 600V MOSFET CoolMOS™ C7 от компании Infineon адресовано для применений, где необходима высочайшая эффективность. По своим характеристикам транзисторы семейства вплотную приблизились к GaN приборам. Например, в MOSFET CoolMOS C7 на 50%... ...читать

19 сентября 2016
статья

CoolMOS™ – высоковольтные MOSFET по рецепту Infineon

Обширное семейство высоковольтных MOSFET CoolMOS™ производства компании Infineon – один из базовых стандартов отрасли, ее лидер по показателям КПД, а представитель семейства линейка CoolMOS™ C7 имеет лучший в мире в своем классе показатель... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.