IPB60R099C7ATMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STFW38N65M5 (ST) TO3PF 30 шт
 
A+ STW48NM60N (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 39A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW47NM60ND (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
A+ STW45N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 650V 35A TO247
A+ STW42N65M5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 33A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STP35N65M5 (ST) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 27A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STP34NM60N (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 600V 29A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STW40N60M2 (ST) TO-247-3 30 шт
 
A+ STW38N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 650V 30A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW35N65M5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 27A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW34NM60N (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STP57N65M5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A+ STF57N65M5 (ST) TO220FP 50 шт
 
A+ STFI40N60M2 (ST) TO-262-3 50 шт
 
A+ STF45N65M5 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 650V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STF42N65M5 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 33A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STF40N60M2 (ST) TO220FP 50 шт
 
A+ STF38N65M5 (ST) TO220FP 50 шт MOSFET N-CH 650V 30A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STF35N65M5 (ST) TO220FULLPAK3 MOSFET N-CH 650V 27A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STB57N65M5 (ST) TO263 1000 шт
 
A+ IPW60R060C7XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 35A TO247
A+ IPB60R099CPATMA1 (INFIN) TO263 1000 шт
 
A+ IPB60R099CP (INFIN) TO263 1 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STP40N60M2 (ST) TO220AB 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
IPB60R099C7 MOSFET 600VCoolMOSªC7PowerTransistor D²PAK CoolMOS™C7isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. tab 600VCoolMOS™C7seriescombinestheexperienceoftheleadingSJ MOSFETsupplierwithhighclassinnovation. The600VC7isthefirsttechnologyeverwithRDS(on)*Abelow1Ohm*mm². 2 1 3 Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandhighperformanceLLC) •IncreasedMOSFETdv/dtruggednessto120V/ns •IncreasedefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg •BestinclassRDS(on)/package •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •IncreasedeconomiesofscalebyuseinPFCandPWMtopologiesinthe application •Higherdv/dtlimitenablesfasterswitchingleadingtohigherefficiency •Enablinghighersystemefficiencybylowerswitchinglosses •Increasedpowerdensitysolutionsduetosmallerpackages •Suitableforapplicationssuchasserver,telecomandsolar •Higherswitchingfrequenciespossiblewithoutlossinefficiencydueto lowEossandQg Applications PFCstagesandPWMstages(TTF,LLC)forhighpower/performance SMPSe.g.Computing,Server,Telecom,UPSandSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 99 mΩ Qg.typ 42 nC ID,pulse 83 A ID,continuous @ Tj<150°C 36 A Eoss@400V 4.95 µJ Body diode di/dt 360 A/µs Type/OrderingCode Package Marking IPB60R099C7 PG-TO 263 60C7099 Final Data Sheet 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2016-03-01 PDF
Документация на IPB60R099C7ATMA1 

Datasheet IPB60R099C7 Datasheet IPB60R099C7 Rev. 2.0

Дата модификации: 01.03.2016

Размер: 1.18 Мб

14 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    04 октября 2018
    статья

    Особенности выбора силовых МОП-транзисторов для резонансных LLC-преобразователей

    В статье рассматриваются особенности работы МОП–транзисторов (MOSFET) в резонансных LLC–преобразователях. Особое внимание уделяется режиму переключений при нулевых напряжениях (Zero Voltage Switching, ZVS). В ней также приведены методы... ...читать

    25 мая 2018
    статья

    Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

    Тепловые характеристики новых 650–вольтовых МОП–транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад... ...читать

    26 октября 2017
    600V-CoolMOS-C7
    новость

    600V CoolMOS C7 от Infineon – когда эффективность на первом месте

    Семейство 600V MOSFET CoolMOS™ C7 от компании Infineon адресовано для применений, где необходима высочайшая эффективность. По своим характеристикам транзисторы семейства вплотную приблизились к GaN приборам. Например, в MOSFET CoolMOS C7 на 50%... ...читать

    19 сентября 2016
    статья

    CoolMOS™ – высоковольтные MOSFET по рецепту Infineon

    Обширное семейство высоковольтных MOSFET CoolMOS™ производства компании Infineon – один из базовых стандартов отрасли, ее лидер по показателям КПД, а представитель семейства линейка CoolMOS™ C7 имеет лучший в мире в своем классе показатель... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.