IPD70R900P7SAUMA1

MOSFET N-CH 700V 12.8A DPAK
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IPD70R900P7S (INFIN)
 

Файлы 1

показать свернуть
IPD70R900P7S MOSFET 700VCoolMOSªP7PowerTransistor DPAK CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. ThelatestCoolMOS™P7isanoptimizedplatformtailoredtotargetcost sensitiveapplicationsinconsumermarketssuchascharger,adapter, lighting,TV,etc. ThenewseriesprovidesallthebenefitsofafastswitchingSuperjunction MOSFET,combinedwithanexcellentprice/performanceratioandstateof theartease-of-uselevel.Thetechnologymeetshighestefficiency standardsandsupportshighpowerdensity,enablingcustomersgoing towardsveryslimdesigns. tab 1 2 3 Drain Pin 2, Tab Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Qualifiedforstandardgradeapplications Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsathigherswitchingfrequencies •Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors Applications RecommendedforFlybacktopologiesforexampleusedinChargers, Adapters,LightingApplications,etc. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 700 V RDS(on),max 0.9 Ω Qg,typ 6.8 nC ID,pulse 12.8 A Eoss @ 400V 0.9 µJ V(GS)th,typ 3 V ESD class (HBM) 1C Type/OrderingCode Package IPD70R900P7S PG-TO 252 Final Data Sheet Marking 70S900P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2016-11-24 PDF
Документация на IPD70R900P7SAUMA1 

Datasheet IPD70R900P7S Datasheet IPD70R900P7S Rev. 2.0

Дата модификации: 24.11.2016

Размер: 1.17 Мб

13 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    17 мая 2019
    новость

    Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом... ...читать

    23 октября 2018
    статья

    Электропривод для робототехники: решения Infineon

    Для современной робототехники – основы четвертой индустриальной революции – компания Infineon производит весь спектр компонентов: от дискретных силовых диодов и транзисторов, а также сборок и микросхем управления электроприводом до датчиков... ...читать

    25 декабря 2017
    статья

    CoolMOS P7: баланс эффективности и простоты использования в силовых преобразователях

    Сочетание высокой скорости коммутации и простоты использования делает серию МОП–транзисторов CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальной для применения как в маломощных (бытовые приборы, ПК), так и в мощных (телекоммуникации, центры... ...читать

    24 августа 2017
    новость

    CoolMOS™ P7 - новые 600V и 700V силовые MOSFET

    Линейка CoolMOS™ P7 Infineon является отлично сбалансированным решением, обладающим оптимальным соотношением эффективности и цены. Ключевая особенность транзисторов линейки — возможность их применения в схемах с различными топологиями. MOSFET... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.