IPD80R4K5P7

IPD80R4K5P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerDevice DPAK Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. tab Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус:

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
PA IPD80R4K5P7ATMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт
 
P= AOD3N80 (AOS) TO252 MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252

Файлы 1

показать свернуть
IPD80R4K5P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerDevice DPAK Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. tab Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classDPAKRDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Fullyoptimizedportfolio 1 2 3 Drain Pin 2, Tab Benefits •Best-in-classperformance •Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower assemblycosts •Easytodriveandtoparallel •BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures •Lessproductionissuesandreducedfieldreturns •Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns *1 Gate Pin 1 *2 *1: Internal body diode *2: Integrated ESD diode Source Pin 3 Potentialapplications RecommendedforhardandsoftswitchingflybacktopologiesforLED Lighting,lowpowerChargersandAdapters,Audio,AUXpowerand Industrialpower.AlsosuitableforPFCstageinConsumerapplications andSolar. Productvalidation FullyqualifiedaccordingtoJEDECforIndustrialApplications Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 800 V RDS(on),max 4.5 Ω Qg,typ 4 nC ID 1.5 A Eoss @ 500V 0.4 µJ VGS(th),typ 3 V ESD class (HBM) 1C - Type/OrderingCode Package IPD80R4K5P7 PG-TO252-3 Final Data Sheet Marking 80R4K5P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.2,2020-05-26 PDF
Документация на IPD80R4K5P7 

Datasheet IPD80R4K5P7 Datasheet IPD80R4K5P7 Rev. 2.2

Дата модификации: 26.05.2020

Размер: 1.07 Мб

13 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    17 мая 2019
    новость

    Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом... ...читать

    01 августа 2018
    статья

    Компактный изолированный корректор коэффициента мощности для систем освещения

    Совместив в одной микросхеме IRS2505L корректор коэффициента мощности и преобразователь напряжения, компания Infineon выпускает один из самых миниатюрных в мире интегральных ККМ для применения в импульсных выпрямителях осветительных систем. В... ...читать

    04 апреля 2018
    новость

    Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов

    Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO–220 FP Narrow Lead и SOT–223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы... ...читать

    21 марта 2017
    новость

    Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon

    Компания Infineon выпустила новое семейство P7 высоковольтных MOSFET на напряжение 800 В. Транзисторы серии CoolMOS™ P7 – это новый виток развития технологии Superjuction, пионером которой и являлся Infineon. Целевым применением MOSFET серии P7... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.