IPD80R4K5P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IPU80R4K5P7AKMA1 (INFIN) TO251 в линейках 75 шт MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK
A+ IRFBE30PBF (VISH/IR) TO-220-3 в линейках 50 шт
A+ STD3NK80ZT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
A+ IPD80R2K4P7ATMA1 (INFIN) TO252 2500 шт
A+ IPD80R2K0P7ATMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт
A+ SPP02N80C3XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB
A+ SPD02N80C3ATMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
A+ STP4NK80Z (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
A+ STP3NK90ZFP (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP
A+ STP3NK80Z (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220
A+ STF3NK80Z (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
A+ STD4NK80ZT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
A+ STD3NK90ZT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
A+ IPD80R3K3P7ATMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт

Файлы 1

показать свернуть
IPD80R4K5P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerTransistor DPAK Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. tab Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classDPAKRDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Best-in-classCoolMOS™qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20andJESD22) •Fullyoptimizedportfolio Benefits 1 2 3 Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 •Best-in-classperformance •Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower assemblycosts •Easytodriveandtoparallel •BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures •Lessproductionissuesandreducedfieldreturns •Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns Source Pin 3 Applications RecommendedforhardandsoftswitchingflybacktopologiesforLED Lighting,lowpowerChargersandAdapters,Audio,AUXpowerand Industrialpower.AlsosuitableforPFCstageinConsumerapplications andSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 800 V RDS(on),max 4.5 Ω Qg,typ 4 nC ID 1.5 A Eoss @ 500V 0.4 µJ VGS(th),typ 3 V ESD class (HBM) 1C - Type/OrderingCode Package IPD80R4K5P7 PG-TO 252 Final Data Sheet Marking 80R4K5P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2016-07-05 PDF
Документация на IPD80R4K5P7ATMA1 

Datasheet IPD80R4K5P7 Datasheet IPD80R4K5P7 Rev. 2.0

Дата модификации: 05.07.2016

Размер: 992.2 Кб

13 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    17 мая 2019
    новость

    Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом... ...читать

    01 августа 2018
    статья

    Компактный изолированный корректор коэффициента мощности для систем освещения

    Совместив в одной микросхеме IRS2505L корректор коэффициента мощности и преобразователь напряжения, компания Infineon выпускает один из самых миниатюрных в мире интегральных ККМ для применения в импульсных выпрямителях осветительных систем. В... ...читать

    04 апреля 2018
    новость

    Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов

    Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO–220 FP Narrow Lead и SOT–223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы... ...читать

    21 марта 2017
    новость

    Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon

    Компания Infineon выпустила новое семейство P7 высоковольтных MOSFET на напряжение 800 В. Транзисторы серии CoolMOS™ P7 – это новый виток развития технологии Superjuction, пионером которой и являлся Infineon. Целевым применением MOSFET серии P7... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.