IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon
IPD95R1K2P7 MOSFET 950VCoolMOSªP7SJPowerDevice DPAK Thelatest950VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin950V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. tab Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Be...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IPD95R2K0P7ATMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-252-3 PG-TO252-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPD95R1K2P7 MOSFET 950VCoolMOSªP7SJPowerDevice DPAK Thelatest950VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin950V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. tab Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classDPAKRDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Best-in-classCoolMOS™qualityandreliability •Fullyoptimizedportfolio 1 2 3 Drain Pin 2 Benefits *1 Gate Pin 1 •Best-in-classperformance •Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower assemblycosts •Easytodriveandtoparallel •BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures •Lessproductionissuesandreducedfieldreturns •Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns *2 *1: Internal body diode *2: Integrated ESD diode Source Pin 3 Potentialapplications RecommendedforflybacktopologiesforLEDLighting,lowpower ChargersandAdapters,SmartMeter,AUXpowerandIndustrialpower. AlsosuitableforPFCstageinConsumerandSolarapplications. ProductValidation:Fullyqualifiedacc.JEDECforIndustrialApplications Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 950 V RDS(on),max 1.2 Ω Qg,typ 15 nC ID 6 A Eoss @ 500V 1.3 µJ VGS(th),typ 3 V ESD class (HBM) 2 - Type/OrderingCode Package IPD95R1K2P7 PG-TO 252-3 Final Data Sheet Marking 95R1K2P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2018-06-04 PDF
Документация на IPD95R1K2P7ATMA1 

Datasheet IPD95R1K2P7 Datasheet IPD95R1K2P7 Rev. 2.1

Дата модификации: 10.06.2019

Размер: 1.06 Мб

14 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    21 марта 2019
    статья

    Повышение производительности обратноходовых преобразователей с помощью нового семейства транзисторов 950 В CoolMOS P7 от Infineon

    Повышенная эффективность и простота управления делают транзисторы CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальными для построения обратноходовых преобразователей с выходной мощностью до 150 Вт. КПД таких преобразователей с помощью... ...читать

    11 марта 2019
    новость

    CoolMOS P7 950V – новое семейство МОП-транзисторов от Infineon

    Компания Infineon представила новое семейство МОП–транзисторов CoolMOS P7, ориентированных на создание источников вторичного электропитания малой и средней мощности (10…150 Вт). Транзисторы CoolMOS P7, по сравнению с предыдущим семейством... ...читать

    27 февраля 2019
    статья

    Бесснабберный обратноходовой преобразователь на новых MOSFET 950 В от Infineon

    Новое семейство транзисторов CoolMOS P7 950 В производства компании Infineon разработано специально для создания обратноходовых преобразователей, работающих в режиме квазирезонанса или непрерывных токов. По сравнению с предшественниками новые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16409Q3 (TI)