IPL60R065C7AUMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGVSON4
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SIHW47N60E-GE3 (VISHAY) TO3PF MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
A+ STW48NM60N (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 39A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ IPB60R070CFD7ATMA1 (INFIN) PGTO2633 1000 шт
 
A+ IPB60R060C7ATMA1 (INFIN) TO263 в коробках 1000 шт
 
A+ IPB60R055CFD7ATMA1 (INFIN) PGTO2633 1000 шт
 
A+ IPB60R040CFD7ATMA1 (INFIN) PGTO2633 1000 шт
 
A+ IPB60R040C7ATMA1 (INFIN) TO263 в коробках 1000 шт
 
A+ IPZ65R065C7XKSA1 (INFIN) TO2474 30 шт
 
A+ IPZ65R045C7XKSA1 (INFIN) TO2474 30 шт
 
A+ IPZ60R040C7XKSA1 (INFIN) TO2474 30 шт
 
A+ IPP65R065C7XKSA1 (INFIN) TO-220-3 50 шт MOSFET N-CH 650V TO-220-3
A+ STP57N65M5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A+ SIHG47N60E-E3 (VISHAY) MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
A+ SIHG47N60E-GE3 (VISHAY) TO247AC 1 шт MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
A+ STW69N65M5-4 (ST) TO2474 30 шт
 
A+ STW62N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт
 
A+ STW60N65M5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW57N65M5-4 (ST) TO2474 30 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STW57N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт
 
A+ STW55NM60ND (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
A+ STFW60N65M5 (ST) TO3PF 1 шт MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STF57N65M5 (ST) TO220FP 50 шт
 
A+ STB57N65M5 (ST) TO263 1000 шт
 
A+ IPW60R060C7XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 600V 35A TO247
A+ IPB65R045C7ATMA1 (INFIN) TO263 1000 шт MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Файлы 2

показать свернуть
IPL60R065C7 MOSFET 600VCoolMOSªC7PowerTransistor ThinPAK8x8 CoolMOS™C7isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. 600VCoolMOS™C7seriescombinestheexperienceoftheleadingSJ MOSFETsupplierwithhighclassinnovation. The600VC7isthefirsttechnologyeverwithRDS(on)*Abelow1Ohm*mm². Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandhighperformanceLLC) •IncreasedMOSFETdv/dtruggednessto120V/ns •IncreasedefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg •BestinclassRDS(on)/package •SMDpackagewithverylowparasiticinductanceforeasydevicecontrol •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) •4pinkelvinsourceconcept Drain Pin 5 Gate Pin 1 Driver Source Pin 2 Power Source Pin 3,4 Benefits •IncreasedeconomiesofscalebyuseinPFCandPWMtopologiesinthe application •Higherdv/dtlimitenablesfasterswitchingleadingtohigherefficiency •Enablinghighersystemefficiencybylowerswitchinglosses •Increasedpowerdensitysolutionsduetosmallerpackages •OptimizedPCBassemblyandlayoutsolutions •Suitableforapplicationssuchasserver,telecomandsolar •Upto0.5%betterfullloadefficiency@100kHzcomparedtoconventional 3pinpackage Potentialapplications PFCstagesandPWMstages(TTF,LLC)forhighpower/performance SMPSe.g.Computing,Server,Telecom,UPSandSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 65 mΩ Qg,typ 68 nC ID,pulse 135 A ID,continuous @ Tj<150°C 51 A Eoss @ 400V 8.1 µJ Body diode diF/dt 370 A/µs Type/OrderingCode Package Marking IPL60R065C7 PG-VSON-4 60C7065 Final Data Sheet 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2017-08-30 PDF
Документация на IPL60R065C7AUMA1 

Datasheet IPL60R065C7 Datasheet IPL60R065C7 Rev. 2.1

Дата модификации: 30.08.2017

Размер: 1.42 Мб

14 стр.

IPL60R065C7 MOSFET 600VCoolMOSªC7PowerTransistor ThinPAK8x8 CoolMOS™C7isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. 600VCoolMOS™C7seriescombinestheexperienceoftheleadingSJ MOSFETsupplierwithhighclassinnovation. The600VC7isthefirsttechnologyeverwithRDS(on)*Abelow1Ohm*mm². Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandhighperformanceLLC) •IncreasedMOSFETdv/dtruggednessto120V/ns •IncreasedefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg •BestinclassRDS(on)/package •SMDpackagewithverylowparasiticinductanceforeasydevicecontrol •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) •4pinkelvinsourceconcept Drain Pin 5 Gate Pin 1 Driver Source Pin 2 Power Source Pin 3,4 Benefits •IncreasedeconomiesofscalebyuseinPFCandPWMtopologiesinthe application •Higherdv/dtlimitenablesfasterswitchingleadingtohigherefficiency •Enablinghighersystemefficiencybylowerswitchinglosses •Increasedpowerdensitysolutionsduetosmallerpackages •OptimizedPCBassemblyandlayoutsolutions •Suitableforapplicationssuchasserver,telecomandsolar •Upto0.5%betterfullloadefficiency@100kHzcomparedtoconventional 3pinpackage Applications PFCstagesandPWMstages(TTF,LLC)forhighpower/performance SMPSe.g.Computing,Server,Telecom,UPSandSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 65 mΩ Qg.typ 68 nC ID,pulse 135 A ID,continuous @ Tj<150°C 51 A Eoss@400V 8.1 µJ Body diode di/dt 370 A/µs Type/OrderingCode Package Marking IPL60R065C7 PG-VSON-4 60C7065 Final Data Sheet 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2015-12-11 PDF
Документация на IPL60R065C7AUMA1 

Datasheet IPL60R065C7 Datasheet IPL60R065C7 Rev. 2.0

Дата модификации: 11.12.2015

Размер: 1.21 Мб

14 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    04 октября 2018
    статья

    Особенности выбора силовых МОП-транзисторов для резонансных LLC-преобразователей

    В статье рассматриваются особенности работы МОП–транзисторов (MOSFET) в резонансных LLC–преобразователях. Особое внимание уделяется режиму переключений при нулевых напряжениях (Zero Voltage Switching, ZVS). В ней также приведены методы... ...читать

    25 мая 2018
    статья

    Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

    Тепловые характеристики новых 650–вольтовых МОП–транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад... ...читать

    26 октября 2017
    600V-CoolMOS-C7
    новость

    600V CoolMOS C7 от Infineon – когда эффективность на первом месте

    Семейство 600V MOSFET CoolMOS™ C7 от компании Infineon адресовано для применений, где необходима высочайшая эффективность. По своим характеристикам транзисторы семейства вплотную приблизились к GaN приборам. Например, в MOSFET CoolMOS C7 на 50%... ...читать

    19 сентября 2016
    статья

    CoolMOS™ – высоковольтные MOSFET по рецепту Infineon

    Обширное семейство высоковольтных MOSFET CoolMOS™ производства компании Infineon – один из базовых стандартов отрасли, ее лидер по показателям КПД, а представитель семейства линейка CoolMOS™ C7 имеет лучший в мире в своем классе показатель... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.