IPL60R125C7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGVSON4
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
IPL60R125C7 MOSFET 600VCoolMOSªC7PowerTransistor ThinPAK8x8 CoolMOS™C7isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. 600VCoolMOS™C7seriescombinestheexperienceoftheleadingSJ MOSFETsupplierwithhighclassinnovation. The600VC7isthefirsttechnologyeverwithRDS(on)*Abelow1Ohm*mm². Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandhighperformanceLLC) •IncreasedMOSFETdv/dtruggednessto120V/ns •IncreasedefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg •BestinclassRDS(on)/package •SMDpackagewithverylowparasiticinductanceforeasydevicecontrol •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) •4pinkelvinsourceconcept Drain Pin 5 Gate Pin 1 Driver Source Pin 2 Power Source Pin 3,4 Benefits •IncreasedeconomiesofscalebyuseinPFCandPWMtopologiesinthe application •Higherdv/dtlimitenablesfasterswitchingleadingtohigherefficiency •Enablinghighersystemefficiencybylowerswitchinglosses •Increasedpowerdensitysolutionsduetosmallerpackages •OptimizedPCBassemblyandlayoutsolutions •Suitableforapplicationssuchasserver,telecomandsolar •Upto0.5%betterfullloadefficiency@100kHzcomparedtoconventional 3pinpackage Potentialapplications PFCstagesandPWMstages(TTF,LLC)forhighpower/performance SMPSe.g.Computing,Server,Telecom,UPSandSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 125 mΩ Qg,typ 34 nC ID,pulse 66 A ID,continuous @ Tj<150°C 30 A Eoss @ 400V 4 µJ Body diode diF/dt 380 A/µs Type/OrderingCode Package Marking IPL60R125C7 PG-VSON-4 60C7125 Final Data Sheet 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2017-08-30 PDF
Документация на IPL60R125C7AUMA1 

Datasheet IPL60R125C7 Datasheet IPL60R125C7 Rev. 2.1

Дата модификации: 30.08.2017

Размер: 1.38 Мб

14 стр.

IPL60R125C7 MOSFET 600VCoolMOSªC7PowerTransistor ThinPAK8x8 CoolMOS™C7isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. 600VCoolMOS™C7seriescombinestheexperienceoftheleadingSJ MOSFETsupplierwithhighclassinnovation. The600VC7isthefirsttechnologyeverwithRDS(on)*Abelow1Ohm*mm². Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandhighperformanceLLC) •IncreasedMOSFETdv/dtruggednessto120V/ns •IncreasedefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg •BestinclassRDS(on)/package •SMDpackagewithverylowparasiticinductanceforeasydevicecontrol •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) •4pinkelvinsourceconcept Drain Pin 5 Gate Pin 1 Driver Source Pin 2 Power Source Pin 3,4 Benefits •IncreasedeconomiesofscalebyuseinPFCandPWMtopologiesinthe application •Higherdv/dtlimitenablesfasterswitchingleadingtohigherefficiency •Enablinghighersystemefficiencybylowerswitchinglosses •Increasedpowerdensitysolutionsduetosmallerpackages •OptimizedPCBassemblyandlayoutsolutions •Suitableforapplicationssuchasserver,telecomandsolar •Upto0.5%betterfullloadefficiency@100kHzcomparedtoconventional 3pinpackage Applications PFCstagesandPWMstages(TTF,LLC)forhighpower/performance SMPSe.g.Computing,Server,Telecom,UPSandSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 125 mΩ Qg.typ 34 nC ID,pulse 66 A ID,continuous @ Tj<150°C 30 A Eoss@400V 4 µJ Body diode di/dt 380 A/µs Type/OrderingCode Package Marking IPL60R125C7 PG-VSON-4 60C7125 Final Data Sheet 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2015-12-11 PDF
Документация на IPL60R125C7AUMA1 

Datasheet IPL60R125C7 Datasheet IPL60R125C7 Rev. 2.0

Дата модификации: 11.12.2015

Размер: 1.19 Мб

14 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    23 октября 2018
    статья

    Электропривод для робототехники: решения Infineon

    Для современной робототехники – основы четвертой индустриальной революции – компания Infineon производит весь спектр компонентов: от дискретных силовых диодов и транзисторов, а также сборок и микросхем управления электроприводом до датчиков... ...читать

    04 октября 2018
    статья

    Особенности выбора силовых МОП-транзисторов для резонансных LLC-преобразователей

    В статье рассматриваются особенности работы МОП–транзисторов (MOSFET) в резонансных LLC–преобразователях. Особое внимание уделяется режиму переключений при нулевых напряжениях (Zero Voltage Switching, ZVS). В ней также приведены методы... ...читать

    25 мая 2018
    статья

    Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

    Тепловые характеристики новых 650–вольтовых МОП–транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад... ...читать

    26 октября 2017
    600V-CoolMOS-C7
    новость

    600V CoolMOS C7 от Infineon – когда эффективность на первом месте

    Семейство 600V MOSFET CoolMOS™ C7 от компании Infineon адресовано для применений, где необходима высочайшая эффективность. По своим характеристикам транзисторы семейства вплотную приблизились к GaN приборам. Например, в MOSFET CoolMOS C7 на 50%... ...читать

    19 сентября 2016
    статья

    CoolMOS™ – высоковольтные MOSFET по рецепту Infineon

    Обширное семейство высоковольтных MOSFET CoolMOS™ производства компании Infineon – один из базовых стандартов отрасли, ее лидер по показателям КПД, а представитель семейства линейка CoolMOS™ C7 имеет лучший в мире в своем классе показатель... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.