IPL65R340CFDAUMA1

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGVSON4
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
IPL65R340CFD MOSFET 650VCoolMOSªCFD2PowerTransistor ThinPAK8x8 CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™CFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Theresultingdevicesprovideallbenefitsofafast switchingSJMOSFETwhileofferinganextremelyfastandrobustbody diode.Thiscombinationofextremelylowswitching,commutationand conductionlossestogetherwithhighestrobustnessmakeespecially resonantswitchingapplicationsmorereliable,moreefficient,lighterand cooler. ThinPAK ThinPAKisaanewleadlessSMDpackageforHVMOSFETs.Thenew packagehasaverysmallfootprintofonly64mm²(vs.150mm²forthe D²PAK)andaverylowprofilewithonly1mmheight(vs.4.4mmforthe D²PAK).Thesignificantlysmallerpackagesize,combinedwithbenchmark lowparasiticinductances,providesdesignerswithanewandeffectiveway todecreasesystemsolutionsizeinpower-densitydrivendesigns. Drain Pin 5 Gate Pin 1 Driver Source Pin 2 Power Source Pin 3,4 Features •Reducedboardspaceconsumption •Increasedpowerdensity •Shortcommutationloop •Smoothswitchingwaveform •Ultra-fastbodydiode •Veryhighcommutationruggedness •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Easytouse/drive •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC (J-STD20andJESD22) •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound Potentialapplications 650VCoolMOS™CFD2isespeciallysuitableforresonantswitching stagesfore.g.PCSilverbox,LCDTV,Lighting,ServerandTelecom. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit Vds @ Tjmax 700 V RDS(on),max 0.34 Ω Qg,typ 41 nC ID,pulse 32 A Eoss @ 400V 3.5 µJ Body diode diF/dt 900 A/µs Qrr 0.35 µC tr 95 ns Irrm 6.5 A Type/OrderingCode Package Marking IPL65R340CFD PG-VSON-4 65F6340 Final Data Sheet 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2017-09-07 PDF
Документация на IPL65R340CFDAUMA1 

Datasheet IPL65R340CFD Datasheet IPL65R340CFD Rev. 2.1

Дата модификации: 07.09.2017

Размер: 1.38 Мб

13 стр.

Документация на IPL65R340CFDAUMA1 

Datasheet / Datenblatt IPL65R340CFD Datasheet / Datenblatt IPL65R340CFD Rev. 2.0 english/deutsch

Дата модификации: 29.05.2013

Размер: 1.8 Мб

15 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.