IPN60R1K0PFD7SATMA1

IPN60R1K0PFD7S MOSFET 600VCoolMOSªPFD7SJPowerDevice PG-SOT223 CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. ThelatestCoolMOS™PFD7isanoptimizedplatformtailoredtotarget costsensitiveapplicationsinconsumermarketssuchascharger,adapter, motordrive,light...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGSOT2233
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPN60R1K0PFD7S MOSFET 600VCoolMOSªPFD7SJPowerDevice PG-SOT223 CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. ThelatestCoolMOS™PFD7isanoptimizedplatformtailoredtotarget costsensitiveapplicationsinconsumermarketssuchascharger,adapter, motordrive,lighting,etc. ThenewseriesprovidesallthebenefitsofafastswitchingSuperjunction MOSFET,combinedwithanexcellentprice/performanceratioandstateof theartease-of-uselevel.Thetechnologymeetshighestefficiency standardsandsupportshighpowerdensity,enablingcustomersgoing towardsveryslimdesigns. Drain Pin 2 Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •LowswitchinglossesEoss,excellentthermalbehavior •Fastbodydiode •WiderangeportfolioofRDS(on)andpackagevariations •Integratedzenerdiode *1 Gate Pin 1 *2 *1: Internal body diode *2: Integrated ESD diode Source Pin 3 Benefits •Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors •Enablesefficiencygainsathigherswitchingfrequencies •Excellentcommutationruggedness •Easytoselectrightpartsandoptimizethedesign •HighESDruggedness Potentialapplications RecommendedforZVStopologiesusedinhighdensitychargers, adapters,lightingandmotordrivesapplications,etc. Productvalidation QualifiedaccordingtoJEDECStandard Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 1000 mΩ Qg,typ 6.0 nC ID,pulse 8.8 A Eoss @ 400V 0.7 µJ Body diode diF/dt 1300 A/µs ESD Class (HBM) 2 - Type/OrderingCode Package IPN60R1K0PFD7S PG-SOT223 Final Data Sheet Marking 60S1K0D7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2019-10-14 PDF
Документация на IPN60R1K0PFD7SATMA1 

Datasheet IPN60R1K0PFD7S Datasheet IPN60R1K0PFD7S Rev. 2.0

Дата модификации: 19.10.2020

Размер: 1.02 Мб

14 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    10 сентября
    новость

    Драйверы MOSFET/IGBT Infineon – силой нужно управлять!

    Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов –... ...читать

    19 августа
    новость

    600-вольтовые CoolMOS MOSFET PFD7 – новое решение для устройств с высокой плотностью мощности

    Компания Infineon представила новую линейку высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В, которые устанавливают новый стандарт для технологии Super Junction и являются прекрасным решением для использования в приложениях с высокой... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.